GD200HFU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V Tip

Tensioni kolektor-emitor

1200

V

V =150 °C

Tensioni i portës-emitësit

±20

V

Unë C

Të drejtimi kolektori @ T C =25o C

@ T C =65o C

262

200

A

Unë CM

Tresoret e Kolektprit me Pulsa t p =1ms

400

A

P D

Maksimumi i humbjes së energjisë @ T =150o C

1315

W

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

V RRM

Tensioni i Pikut të Ripërsëritur të Prapavijës

1200

V

Unë F

Dioda e vazhdueshme e përparme qira

200

A

Unë FM

Prusia Maksimale e Diodes së Parapëlqyer t p =1ms

400

A

Ndryshe

Përshkrimi

Vlera

Njësia

T jmax

Temperatura maksimale e kryqëzimit

150

o C

T jop

Temperatura e ndërlidhjes së funksionimit

-40 deri në +125

o C

T STG

Temperatura e ruajtjes Gjatësia

-40 deri në +125

o C

V ISO

Tensioni izolues RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V CE (sat)

Kolektor për emetuesin

Tensioni i ngopjes

Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T j =25o C

3.00

3.45

V

Unë C =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter T j =125o C

3.80

V Rryma e prerjes së kolektorit (e )

Pragu i portës-emitësit Tensioni

Unë C =2.0= 0V, ,V CE =V Rryma e prerjes së kolektorit , T j =25o C

4.5

5.4

6.5

V

Unë Tip

Kolektor Prerë -Të mbyllur

Aktual

V CE =V Tip ,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,

T j =25o C

5.0

= 0V,

Unë =150 °C

Shkarkimi i emitentit të portës Aktual

V Rryma e prerjes së kolektorit =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rezistenca e portës së brendshme ance

1.3

oh

C 150 °C

Ies

V CE =25V, f=1Mhz,

V Rryma e prerjes së kolektorit =0V

13.0

mHz

C μC

Transferimi i kundërt

Kapaciteti

0.85

mHz

Q G

NF

V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15…+15V

2.10

±15V

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, T j =25o C

87

ns

t r

Koha e ngritjes

40

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

451

ns

t f

Koha e rënies

63

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi

Humbje

6.8

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

11.9

mJ

t d (në )

Koha e vonesës së ndezjes

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V Rryma e prerjes së kolektorit =±15V, T j = 125o C

88

ns

t r

Koha e ngritjes

44

ns

t d (të mbyllur )

Ndarja Koha e vonimit

483

ns

t f

Koha e rënies

78

ns

E në

Ndriçimi Ndërrimi

Humbje

11.4

mJ

E të mbyllur

Ndarja e fikjes

Humbje

13.5

mJ

Unë SC

Të dhënat e SC

t P ≤ 10 μs,V Rryma e prerjes së kolektorit saturimi kolektor-emiter

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1300

A

Ndryshe

Parametri

Kushtet e provës

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

V F

Diodë përpara

Tensioni

Unë F =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

Unë F =200A,V Rryma e prerjes së kolektorit =0V,T j =125o C

2.00

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V T j =25o C

13.3

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

236

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

6.6

mJ

Q r

Ngarkesa e rikuperuar

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Rryma e prerjes së kolektorit =- 15V T j =125o C

23.0

±15V

Unë RM

Pika e përkeqësuar

Aktualisht rimëkëmbje

269

A

E rec

Përmirësimi i kundërt Energjia

10.5

mJ

Ndryshe

Parametri

Min.

- Në rregull.

Max. - Çfarë?

Njësia

L CE

Induktiviteti i humbjes

30

nH

R CC+EE

Rezistenca e Modulit të Lidhses, Terminal në çip

0.35

mΩ

R thJC

Marrëveshja me rastin (për IGB) T)

Lidhja me rastin (për D) jod)

0.095

0.202

K/W

R thCH

Kasë në Shkëmbyes (për IGBT)

Kasë në Shkëmbyes (p er Diode)

Kasë në Shkëmbyes (për Moduli)

0.029

0.063

0.010

K/W

M

Torku i Lidhjes së Terminaleve, Bolti M5 Torku i Montimit, Bolti M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Pesha e Moduli

300

g