800A,600V~1800V,414S3
Broshurë Produkti: SHKARKO
Përshkrim i shkurtër
Thyristor/Diode Module e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00A ,Ftohtësi me ujë ，prodhuar nga TECHSEM.
Përshkrim i shkurtër
Thyristor/Diode Module e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,Ftohtësi me ujë ，prodhuar nga TECHSEM.
VDRM VRRM, |
Lloji & Skica |
|
800V |
MT2 përbërës |
MFx800-08-414S3 |
1000V |
MT3 |
MFx800-10-414S3 |
1200V |
MT2 |
MFx800-12-414S3 |
1400V |
MT2Korean |
MFx800-14-414S3 |
1600V |
MTx800-16-414S3 |
MFx800-16-414S3 |
1800V |
MT2 |
MFx800-18-414S3 |
1800V |
MT4Koreanët |
|
MTx do të thotë çdo lloj MTC, MTA , MTK
MFx do të thotë çdo lloj MFC, MFA, MFK
Veprime të Rralla
Aplikimet Tipike
|
Ndryshe |
Karakteristikë |
Kushtet e provës |
Tj(℃) |
Vlera |
Njësia |
||
Min |
Lloji |
Maks |
|||||
IT(AV) |
Rryma mesatare në gjendjen aktive |
180。gjysmë valë sinuse 50Hz Një anë e ftohur, Tc=55°C |
125 |
|
|
800 |
A |
IT(RMS) |
Rryma e qëndrueshme RMS |
180° gjysmë vale sinusoidale 50Hz |
|
|
1256 |
A |
|
Irrm Irrm |
Rryma pikore përsëritëse |
në VDRM në VRRM |
125 |
|
|
120 |
= 0V, |
ITSM |
Rryma e goditjes në gjendjen aktive |
10ms gjysmë valë sinuse, VR=0V |
125 |
|
|
16 |
kA |
I2t |
I2t për koordinimin e fundosjes |
|
|
1280 |
A 2s* 10 3 |
||
VTO |
Tensioni i Pragut |
|
135 |
|
|
0.80 |
V |
rT |
Rezistenca e pjerrësisë në gjendjen aktive |
|
|
0.26 |
mΩ |
||
VTM |
Tensioni maksimal në gjendjen aktive |
ITM= 1500A |
25 |
|
|
1.45 |
V |
dv/dt |
Shkalla kritike e rritjes së tensionit të çlirimit |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Shkalla kritike e rritjes së rrymës në gjendje aktive |
Burimi i portës 1.5A tr ≤0.5μs Përsëritëse |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tgd |
Koha e vonimit e kontrolluar nga porta |
IG= 1A dig/dt= 1A/μs |
25 |
|
|
4 |
μs |
tq |
Koha e fikjes së komutuar nga qarku |
ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs |
125 |
|
250 |
|
µs |
IGT |
Rryma e aktivizimit të portës |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
250 |
= 0V, |
Vgt |
Tensioni i aktivizimit të portës |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Rryma mbajtëse |
10 |
|
300 |
= 0V, |
||
IL |
Rryma e ngjitjes |
IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us |
25 |
|
|
1500 |
= 0V, |
VGD |
Tensioni i portës jo-aktivizues |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.25 |
V |
IGD |
Rrymë jo-shkakuese |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
5 |
= 0V, |
Rth(j-c) |
Rezistenca termike nga lidhja në rast |
E ftohur nga një anë për çdo çip |
|
|
|
0.065 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Rezistenca termike rast në radiator |
E ftohur nga një anë për çdo çip |
|
|
|
0.020 |
℃/W |
VISO |
Tensioni i izolimit |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM |
Torku i lidhjes së terminaleve (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Torku i montimit (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Tvj |
Temperatura e lidhjes |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura e ruajtur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Pesha |
|
|
|
2100 |
|
g |
Skica |
414S3 |
||||||
Ekipi ynë profesional i shitjeve po pret për konsultimin tuaj.
Mund të ndiqni listën e produkteve të tyre dhe të bëni çdo pyetje që ju intereson.
EN
