Благодаря стремительному развитию электромобилей, возобновляемых источников энергии, промышленной автоматизации и передовой силовой электроники карбид кремния (SiC) становится важной технологией для высокопроизводительных силовых систем следующего поколения.
По сравнению с традиционными кремниевыми приборами устройства на основе SiC обладают рядом технических преимуществ, включая более высокую частоту переключения, меньшие потери при переключении, повышенную рабочую температуру и улучшенную мощностную плотность. Эти характеристики способствуют повышению эффективности систем, снижению энергопотребления, а также обеспечивают возможность создания более компактных и лёгких конструкций систем.
Чтобы удовлетворить растущий рыночный спрос на высокопроизводительные силовые полупроводники, мы расширяем наш ассортимент продукции, включая полный спектр решений на основе SiC продукты и решения. Наша линейка продукции на основе SiC включает:
Модули SiC MOSFET
Дискретные приборы SiC MOSFET
Шоттки-диоды на основе карбида кремния (SiC SBD)
Полностью SiC-ориентированные силовые решения
Наша продукция может применяться в широком спектре отраслей и областей применения, в том числе:
Электромобили (EV)
Системы хранения энергии (ESS)
Инверторы солнечных батарей
Промышленные инверторы и приводы двигателей
Системы зарядки электромобилей
Оборудование для питания
Системы промышленной автоматизации
Железнодорожные и высокомощные промышленные применения
Мы понимаем, что у заказчиков могут быть различные требования к показателям производительности, типам корпусов, оптимизации затрат и применение условиям эксплуатации. Поэтому, помимо стандартных изделий, мы также стремимся поддержать заказчиков в выборе продукции и подборе решений, соответствующих требованиям их проектов.
По мере дальнейшего развития технологии карбида кремния (SiC) и её более широкого внедрения на мировом рынке мы с нетерпением ожидаем сотрудничества с заказчиками и партнёрами по всему миру для предоставления надёжных и эффективных решений на основе силовых полупроводниковых приборов SiC для будущих энергетических и промышленных применений.
SCE900N1200ED
Модуль SiC
Особенности
- Работа при высокой температуре, высокой влажности и постоянном напряжении
- Сверхнизкие потери
- Высокочастотная работа
- Отсутствие хвостового тока при выключении у MOSFET
- Устройство с нормально-закрытым состоянием и безопасной работой в аварийных режимах
- Медная основа и изолятор на основе нитрида алюминия
Приложения
- Высокомощные преобразователи
- Приводы двигателей
- Сервоприводы
- Системы ИБП
- Ветрогенераторы
Символ |
Параметр |
Ценности |
Единица |
Испытание Условия |
Абсолютный максимум номинальная мощность |
V Дс |
Напряжение между стоком и истоком |
1200 |
V |
T C=25°C |
Я D |
Ток стока (непрерывный) |
900 |
A |
T C=25°C |
T J |
Температура соединения |
175 |
。C |
|
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Испытание Условия |
Статические характеристики iCS |
Пруток RDS(on) |
Статическое сопротивление сток–исток Сопротивление |
— |
1.8 |
2.5 |
мОм |
V GS =18 В; Я D= 450 А; T C=25°C |
Динамические характеристики |
В. Г |
Общая затворная цепь Зарядка |
— |
2142 |
— |
nC |
V DD =800 В; V GS =-5/+18 В; Я D= 450 А; T C=25°C |
В. GD |
Заряд между затвором и стоком |
— |
705 |
— |
Диод сток–исток |
В. РР |
Обратное восстановление Зарядка |
— |
5517 |
— |
nC |
V GS =-5/+18 В; Я F = 500 А; V Пруток = 900 В; Нагрузка = 100 мкГн; T J =25°C |
Абсолютное Максимальный Рейтинги (австрия T C=25°C если только иначе указано )
EN
