Модуль IGBT, GD1000HTA75P6HLT Starpower

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я C

Коллекторный ток @ T К =125 о C

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

2000

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =75 о C Т vj =175 о C

1282

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

750

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

2000

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Рабочая температура развязки непрерывная

За 10 секунд в течение периода 30с, возникновение максимум 3000 раз за время жизни

-40 до +150 +150 до +175

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

г Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

г Прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.10

1.35

В

Я C =450A,V GE =15В, Т vj =150 о C

1.10

Я C =450A,V GE =15В, Т vj =175 о C

1.10

Я C =1000A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.40

Я C =1000A,V GE =15В, Т vj =175 о C

1.60

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.9 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.5

6.4

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.2

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В

66.7

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.50

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.35

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ =400В, I C =450A, В GE =-15…+15V

4.74

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A,

R Гон = 1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, В GE =-8V/+15V,

Л С =24нГн, T vj =25 о C

244

nS

т r

Время нарастания

61

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

557

nS

т к

Время спада

133

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

11.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

22.8

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A,

R Гон = 1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, В GE =-8V/+15V,

Л С =24нГн, T vj =150 о C

260

nS

т r

Время нарастания

68

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

636

nS

т к

Время спада

226

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

16.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

32.2

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A,

R Гон = 1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, В GE =-8V/+15V,

Л С =24нГн, T vj =175 о C

264

nS

т r

Время нарастания

70

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

673

nS

т к

Время спада

239

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

19.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

33.6

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤6μs, В GE =15В,

Т vj =25 о C,V CC =400В, В СМК ≤750В

4900

A

т P ≤3μс, В GE =15В,

Т vj =175 о C,V CC =400В, В СМК ≤750В

3800

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =450A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.40

1.65

В

Я К =450A,V GE =0V,T vj =150 о C

1.35

Я К =450A,V GE =0V,T vj =175 о C

1.30

Я К =1000A,V GE =0V,T vj =25 о C

1.80

Я К =1000A,V GE =0V,T vj =175 о C

1.80

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=7809А/μс,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т vj =25 о C

18.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

303

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

3.72

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=6940А/μс,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т vj =150 о C

36.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

376

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

8.09

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=6748А/μс,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т vj =175 о C

40.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

383

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.01

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.75

мОм

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

Т основание < 40 о C

Т основание 40о C

(относительное давление)

2.5 2.0

штанга

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т К =75 о C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g