Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
-
Максимальное температура соединения 175oC
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовой Применения
-
Гибридный и электрический ve автомобиль
-
Инверторы для двигателей г привод
-
Бесперебойное питание r поставка
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C
@ T C = 100о C
|
1090
600
|
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1200 |
A |
P Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C |
3947 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
В |
Я К |
Диод непрерывно передний арендная плата |
600 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1200 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Температура хранения Запас хода |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
2500 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.70 |
2.15 |
В
|
Я C =600А,В GE =15В, Т j =125 о C |
|
1.90 |
|
Я C =600А,В GE =15В, Т j =150 о C |
|
1.95 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Ток
|
В СЕ = В CES ,В GE =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц,
В GE =0В
|
|
62.1 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
1.74 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =- 15…+15В |
|
4.62 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Т j =25 о C
|
|
136 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
77 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
494 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
72 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
53.1 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
48.4 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Т j =125 о C
|
|
179 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
77 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
628 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
113 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
70.6 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
74.2 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Т j =150 о C
|
|
179 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
85 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
670 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
124 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
76.5 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
81.9 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В
|
|
2400
|
|
A
|
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В К
|
Диод вперед
Напряжение
|
Я К =600А,В GE =0V,T j =25 о C |
|
1.95 |
2.40 |
В
|
Я К =600А,В GE =0V,T j =125 о C |
|
2.05 |
|
Я К =600А,В GE =0V,T j =150 о C |
|
2.10 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I К =600А,
-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Т j =25 о C
|
|
58.9 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
276 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
20.9 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I К =600А,
-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Т j =125 о C
|
|
109 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
399 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
41.8 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I К =600А,
-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Т j =150 о C
|
|
124 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
428 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
48.5 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
δR/R |
Отклонение из R 100 |
Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
0.038
0.066
|
K/W |
|
R thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Корпус к радиатору (п ер диод)
Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
0.028
0.049
0.009
|
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
350 |
|
g |
EN
