Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Главная страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD600HFY120C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT, 1200В 600А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFY120C6S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальное температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовой Применения

  • Гибридный и электрический ve автомобиль
  • Инверторы для двигателей г привод
  • Бесперебойное питание r поставка

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

1090

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

3947

В

Диод

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1200

A

Модуль

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =600А,В GE =15В, Т j =125 о C

1.90

Я C =600А,В GE =15В, Т j =150 о C

1.95

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.2

5.8

6.4

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

62.1

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.74

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

4.62

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Т j =25 о C

136

nS

т r

Время нарастания

77

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

494

nS

т f

Время спада

72

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

53.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

48.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Т j =125 о C

179

nS

т r

Время нарастания

77

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

nS

т f

Время спада

113

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

70.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

74.2

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Т j =150 о C

179

nS

т r

Время нарастания

85

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

670

nS

т f

Время спада

124

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

76.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

81.9

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 о C

1.95

2.40

В

Я F =600А,В GE =0V,T j =125 о C

2.05

Я F =600А,В GE =0V,T j =150 о C

2.10

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Т j =25 о C

58.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

276

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

20.9

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Т j =125 о C

109

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

41.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Т j =150 о C

124

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

428

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

48.5

mJ

НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из R 100

Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К

Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.038

0.066

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028

0.049

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g

Основные положения

image(c537ef1333).png

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000