GD600HFX120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

Временное напряжение затвора-эмиттера

±20

± 30

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C =90 о C

873

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

2727

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.75

2.20

В

Я C =600А,В GE =15В, Т j =125 о C

2.00

Я C =600А,В GE =15В, Т j =150 о C

2.05

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

55.9

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.57

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

4.20

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω

- Я не знаю. С =34nH, V GE =±15В,Т j =25 о C

109

nS

т r

Время нарастания

62

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

469

nS

т к

Время спада

68

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

42.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

46.0

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,

Л С =34 nH ,

В GE =±15В,Т j =125 о C

143

nS

т r

Время нарастания

62

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

597

nS

т к

Время спада

107

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

56.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

70.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,

Л С =34 nH ,

В GE =±15В,Т j =150 о C

143

nS

т r

Время нарастания

68

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

637

nS

т к

Время спада

118

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

61.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

77.8

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =600А,В GE =0V,T j =25 о C

1.95

2.40

В

Я К =600А,В GE =0V,T j =1 25о C

2.05

Я К =600А,В GE =0V,T j =1 50о C

2.10

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Л С =34 nH ,Т j =25 о C

58.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

276

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

20.9

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Л С =34 nH ,Т j =125 о C

109

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

41.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =600А,

-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Л С =34 nH ,Т j =150 о C

124

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

428

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

48.5

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.055

0.089

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.032

0.052

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g