Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.
Особенности
-
Низкий V СЕ (сидел ) Опоры IGBT тЕХНОЛОГИЯ
-
10 мкм короткое замыкание емкость способность
-
V СЕ (сидел ) с положительный температура коэффициент
-
Максимальный температура соединения 175o C
-
Низкая индуктивность кейс
-
Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
-
Изолированная медная основа с использованием технологии HPS DBC
Типичный Области применения
-
Инвертор для привода мотора
-
СИ и ПТ сервопривод водить машину усилитель
-
Непрерывное питание ер поставка
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C =25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер
Временное напряжение затвора-эмиттера
|
±20
±30
|
V |
О C |
Коллекторный ток @ T C =25o C
@ T C =90o C
|
873
600
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1200 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C |
2727 |
Ш |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
600 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1200 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
О C =600А,В GE =15В, T j =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
О C =600А,В GE =15В, T j =125o C |
|
2.00 |
|
О C =600А,В GE =15В, T j =150o C |
|
2.05 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =24.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц,
V GE =0В
|
|
55.9 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
1.57 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =- 15…+15В |
|
4.20 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =600А, Пруток G =1.5Ω
- Я не знаю. S =34nH, V GE =±15В,Т j =25o C
|
|
109 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
62 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
469 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
68 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
42.5 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
46.0 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =600А, Пруток G =1.5Ω,
Л S =34nH ,
V GE =±15В,Т j =125o C
|
|
143 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
62 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
597 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
107 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
56.5 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
70.5 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =600А, Пруток G =1.5Ω,
Л S =34nH ,
V GE =±15В,Т j =150o C
|
|
143 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
68 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
637 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
118 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
61.2 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
77.8 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
T j =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В
|
|
2400
|
|
А
|
Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед
Напряжение
|
О F =600А,В GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
О F =600А,В GE =0V,T j =125o C |
|
2.05 |
|
О F =600А,В GE =0V,T j =150o C |
|
2.10 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =600А,
-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Л S =34nH ,T j =25o C
|
|
58.9 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
276 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
20.9 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =600А,
-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Л S =34nH ,T j =125o C
|
|
109 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
399 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
41.8 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =600А,
-di/dt=4300А/μs,В GE =- 15V, Л S =34nH ,T j =150o C
|
|
124 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
428 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
48.5 |
|
mJ |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
20 |
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.35 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на Di) (оде)
|
|
|
0.055
0.089
|
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)
Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)
|
|
0.032
0.052
0.010
|
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
300 |
|
g |
EN
