Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 450А.
Особенности
-
Низкий V СЕ (сидел ) Опоры IGBT тЕХНОЛОГИЯ
-
10 мкм краткосвязь иллитет
-
В СЕ (сидел ) с положительный температура коэффициент
-
Максимальное температура соединения 175о C
-
Низкая индуктивность кейс
-
Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовой Применения
-
Гибридный и электрический ve автомобиль
-
Инверторы для двигателей г привод
-
Бесперебойное питание r поставка
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C
@ T C = 100о C
|
680
450
|
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
900 |
A |
P Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C |
2173 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
В |
Я К |
Диод непрерывно передний арендная плата |
450 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
900 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Температура хранения Запас хода |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
2500 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C =450A,V GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.70 |
2.15 |
В
|
Я C =450A,V GE =15В, Т j =125 о C |
|
1.95 |
|
Я C =450A,V GE =15В, Т j =150 о C |
|
2.00 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C = 11.3мА,В СЕ =V GE ,Т j =25 о C |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Ток
|
В СЕ = В CES ,В GE =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц,
В GE =0В
|
|
46.6 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
1.31 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =- 15…+15В |
|
3.50 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =450A, R G = 1.3Ω,
В GE =±15В, Т j =25 о C
|
|
203 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
64 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
491 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
79 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
16.1 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
38.0 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =450A, R G = 1.3Ω,
В GE =±15В, Т j = 125о C
|
|
235 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
75 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
581 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
109 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
27.8 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
55.5 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =450A, R G = 1.3Ω,
В GE =±15В, Т j = 150о C
|
|
235 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
75 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
621 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
119 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
30.5 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
61.5 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В
|
|
1800
|
|
A
|
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В К
|
Диод вперед
Напряжение
|
Я К =450A,V GE =0V,T j =25 о C |
|
1.65 |
2.10 |
В
|
Я К =450A,V GE =0V,T j = 125о C |
|
1.65 |
|
Я К =450A,V GE =0V,T j = 150о C |
|
1.65 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I К =450A,
-di/dt=6600А/μs,В GE =- 15V, Т j =25 о C
|
|
46 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
428 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
25.2 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I К =450A,
-di/dt=6600А/μs,В GE =- 15V, Т j = 125о C
|
|
87 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
523 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
46.1 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I К =450A,
-di/dt=6600А/μs,В GE =- 15V, Т j = 150о C
|
|
100 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
546 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
52.3 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
δR/R |
Отклонение из R 100 |
Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
1.10 |
|
мОм |
R thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на Di) (оде)
|
|
|
0.069
0.108
|
K/W |
|
R thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)
Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)
|
|
0.030 0.046 0.009 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
350 |
|
g |
EN
