GD450HFX120C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

680

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

900

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

2173

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

900

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =450A,V GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =450A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 11.3мА,В СЕ =V GE ,Т j =25 о C

5.2

5.8

6.4

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

46.6

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.31

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

3.50

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =450A, R G = 1.3Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

203

nS

т r

Время нарастания

64

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

491

nS

т f

Время спада

79

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

16.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

38.0

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =450A, R G = 1.3Ω,

В GE =±15В, Т j = 125о C

235

nS

т r

Время нарастания

75

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

581

nS

т f

Время спада

109

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

27.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

55.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =450A, R G = 1.3Ω,

В GE =±15В, Т j = 150о C

235

nS

т r

Время нарастания

75

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

621

nS

т f

Время спада

119

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

30.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

61.5

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T j =25 о C

1.85

2.30

В

Я F =450A,V GE =0V,T j = 125о C

1.90

Я F =450A,V GE =0V,T j = 150о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=6600А/μs,В GE =- 15V, Т j =25 о C

55.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

518

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.0

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=6600А/μs,В GE =- 15V, Т j = 125о C

106

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

633

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

47.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =450A,

-di/dt=6600А/μs,В GE =- 15V, Т j = 150о C

121

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

661

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

53.9

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из R 100

Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.030

0.046

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g