MZx75, быстродействующий диодный модуль, TECHSEM

VRRM

Тип и контур

600V

800V

1000В

1200В

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx75-06-216F3

MZx75-08-216F3

MZx75-10-216F3

MZx75-12-216F3

MZx75-14-216F3

MZx75-16-216F3

MZx75-18-216F3

MZ75-18-216F3G

Символ

Характеристика

Условия испытаний

Tj( ℃ )

Значение

Единица

Мин

ТИП

Макс

IF(AV)

Средний прямой ток

180° полусинусоида 50Гц

Охлаждение с одной стороны, TC=85 ℃

140

75

A

IF(RMS)

Эффективный прямой ток

118

A

IRRM

Повторяющийся пиковый ток

при VRRM

140

20

mA

МФСМ

Импульсный прямой ток

10ms полусинусоидальная волна VR=0.6VRRM

140

2.0

кА

I2t

I2t для координации плавления

20

10³A ²s

VFO

Напряжение порога

140

1.10

В

rF

Сопротивление прямого наклона

3.00

м

VFM

Пиковое прямое напряжение

IFM=225A

25

2.00

В

trr

Время восстановления

IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V

140

3.0

μs

25

2.0

μs

Rth(j-c)

Тепловое сопротивление от узла к корпусу

Одностороннее охлаждение на чип

0.310

℃ /W

Rth(c-h)

Тепловое сопротивление корпуса к радиатору

Одностороннее охлаждение на чип

0.080

℃ /W

ЧМ

Крутящий момент подключения терминала (M6)

4.5

6.0

Н·м

Крутящий момент монтажа (M6)

4.5

6.0

Н·м

Визо

Изоляционное напряжение

50Hz,R.M.S,t= 1мин,Iiso:1mA(МАКС)

3000

В

Телевидение

Температура соединения

-40

140

℃

ТСТГ

Хранимая температура

-40

125

℃

Вт

Вес

320

g

Основные положения

216F3