GD450HFX120C2SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

704

450

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

900

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

2307

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

900

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=450A,V GE =15В, T vj =25o C

1.70

2.15

V

Я C=450A,V GE =15В, T vj =125o C

1.95

Я C=450A,V GE =15В, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=18.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.7

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

46.6

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

1.31

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

3.50

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=450A, Пруток Г =1.5Ω,В GE =±15В, Лс =45nH ,T vj =25o C

284

nS

t пруток

Время нарастания

78

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

388

nS

t f

Время спада

200

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

45.0

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

33.4

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=450A, Пруток Г =1.5Ω,В GE =±15В, Лс =45nH ,T vj =125o C

288

nS

t пруток

Время нарастания

86

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

456

nS

t f

Время спада

305

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

60.1

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

48.4

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=450A, Пруток Г =1.5Ω,В GE =±15В, Лс =45nH ,T vj =150o C

291

nS

t пруток

Время нарастания

88

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

472

nS

t f

Время спада

381

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

63.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.1

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.90

2.35

V

Я F =450A,V GE =0V,T vj =125o C

2.00

Я F =450A,V GE =0V,T vj =150o C

2.05

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =450A,

-di/dt=4500A/μс,В GE = 15 В, Лс =45nH ,T vj =25o C

39.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

296

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

11.8

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =450A,

-di/dt=4100A/μс,В GE = 15 В, Лс =45nH ,T vj =125o C

58.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

309

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

17.7

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =450A,

-di/dt=4000A/μс,В GE = 15 В, Лс =45nH ,T vj =150o C

83.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

330

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

20.3

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.065 0.119

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.031 0.057 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г