GD450HFX120C2SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

704

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

900

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

2307

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

900

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =450A,V GE =15В, Т vj =125 о C

1.95

Я C =450A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 18,0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

46.6

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.31

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

3.50

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =450A, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Лс =45 nH ,Т vj =25 о C

284

nS

т r

Время нарастания

78

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

388

nS

т f

Время спада

200

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

45.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

33.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =450A, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Лс =45 nH ,Т vj =125 о C

288

nS

т r

Время нарастания

86

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

456

nS

т f

Время спада

305

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

60.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

48.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =450A, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Лс =45 nH ,Т vj =150 о C

291

nS

т r

Время нарастания

88

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

472

nS

т f

Время спада

381

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

63.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.1

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.90

2.35

В

Я F =450A,V GE =0V,T vj =125 о C

2.00

Я F =450A,V GE =0V,T vj =150 о C

2.05

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =450A,

-di/dt=4500A/μс,В GE = 15 В, Лс =45 nH ,Т vj =25 о C

39.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

296

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =450A,

-di/dt=4100A/μс,В GE = 15 В, Лс =45 nH ,Т vj =125 о C

58.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

309

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

17.7

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =450A,

-di/dt=4000A/μс,В GE = 15 В, Лс =45 nH ,Т vj =150 о C

83.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

330

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

20.3

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.065 0.119

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.031 0.057 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g