GD400HFF120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C

@ T C =90o C

620

400

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T =175o C

2272

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

О F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

О C =400A,V GE =15В, T j =25o C

1.90

2.35

V

О C =400A,V GE =15В, T j = 125o C

2.40

О C =400A,V GE =15В, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C = 10,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

100

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.9

ω

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =400A, Пруток G = 0,38Ω,

V GE =±15В, T j =25o C

1496

nS

t пруток

Время нарастания

200

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1304

nS

t f

Время спада

816

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

27.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

20.8

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =400A, Пруток G = 0,38Ω,

V GE =±15В, T j = 125o C

1676

nS

t пруток

Время нарастания

252

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1532

nS

t f

Время спада

872

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

41.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

23.6

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =400A, Пруток G = 0,38Ω,

V GE =±15В, T j = 150o C

1676

nS

t пруток

Время нарастания

260

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1552

nS

t f

Время спада

888

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

46.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

24.0

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

О F =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

О F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

О F =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

20.4

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

180

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.8

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15В T j = 125o C

52.4

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

264

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

19.5

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15В T j = 150o C

60.8

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

284

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

22.6

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.25

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.066

0.093

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.034

0.048

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g