GD2400SGT120C4S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Описание

GD2400SGT120C4S

Единицы

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Ток коллектора @ Т C =25 ℃

@ T C = 100℃

3800

2400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 mS

4800

A

Я К

Диод непрерывно передний арендная плата

2400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

4800

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

12.9

кВт

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

3400

В

Монтаж Крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

Вес

Вес Модуль

2300

g

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

Т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 ℃

400

нД

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =96 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

В

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 2400A,V GE =15В, Т j =25 ℃

1.70

2.15

В

Я C = 2400A,V GE =15В, Т j =125 ℃

2.00

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 2400A, R Гон = 1,2Ω,

R Гофф = 0,3Ω,

В GE =±15В,Т j =25 ℃

600

nS

т r

Время нарастания

215

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

810

nS

т к

Время спада

145

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

/

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

/

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 2400A, R Гон = 1,2Ω,

R Гофф = 0,3Ω,

В GE =±15В,Т j = 125℃

695

nS

т r

Время нарастания

235

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

970

nS

т к

Время спада

182

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

488

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

382

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

173

нФ

C - Да.

Выходной объем

9.05

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

7.85

нФ

Я SC

Данные SC

т P ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

Т j =125 °C, В CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

9600

A

Q G

Сбор за вход

В CC = 600 В,I C = 2400A, В GE =-15 ﹍+15В

23.0

μC

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.42

ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

10

nH

R CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.12

мОм

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К = 2400A

В GE =0В

Т j =25 ℃

1.65

2.05

В

Т j =125 ℃

1.65

Q r

Восстановлено

Заряд

Я К = 2400A,

В R =600 В,

R Гон = 0,3Ω,

В GE = 15 В

Т j =25 ℃

240

μC

Т j =125 ℃

460

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

Т j =25 ℃

1650

A

Т j =125 ℃

2150

Е rec

Обратное восстановление Энергия

Т j =25 ℃

/

mJ

Т j =125 ℃

208

Символ

Параметры

Тип.

Макс.

Единицы

R θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

11.6

К/кВт

R θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

19.7

К/кВт

R θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

4

К/кВт