IGBT-модуль GD820HTA75P6HT Starpower

Символ

Описание

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О CN

Использование коллектора Cu ренты

820

А

О C

Коллекторный ток @ T F =100o C

450

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1640

А

P D

Максимальное распределение мощности ация @ T F =75o C T j =175o C

847

Ш

Символ

Описание

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE

750

V

О ФН

Использование коллектора Cu ренты

820

А

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1640

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

За 10 секунд в течение периода 30с, возникновение максимум 3000 раз за время жизни

-40 до +150 +150 до +175

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =450A,V GE =15В, T j =25o C

1.10

1.35

V

О C =450A,V GE =15В, T j =150o C

1.15

О C =450A,V GE =15В, T j =175o C

1.15

О C =820А,В GE =15В, T j =25o C

1.30

О C =820А,В GE =15В, T j =175o C

1.50

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =12.9mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.5

6.5

7.0

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =50В, f=100kHz, V GE =0В

72.3

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.51

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.32

нФ

Q G

Сбор за вход

V СЕ =400В, I C =450A, V GE =-15…+15V

4.77

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =400В, I C =450A, Пруток G = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, Л S =24нГн,

T j =25o C

315

nS

t пруток

Время нарастания

61

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

729

nS

t f

Время спада

70

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

12.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

18.3

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =400В, I C =450A, Пруток G = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, Л S =24нГн,

T j =150o C

338

nS

t пруток

Время нарастания

74

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

826

nS

t f

Время спада

151

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

20.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.3

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =400В, I C =450A, Пруток G = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, Л S =24нГн,

T j =175o C

343

nS

t пруток

Время нарастания

77

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

846

nS

t f

Время спада

171

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

25.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

27.3

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤6μs, V GE =15В,

T j =25o C,V CC =400В, V СМК ≤750В

4500

А

t P ≤3μс, V GE =15В,

T j =175o C,V CC =400В, V СМК ≤750В

3300

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =450A,V GE =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

О F =450A,V GE =0V,T j =150o C

1.35

О F =450A,V GE =0V,T j =175o C

1.30

О F =820А,В GE =0V,T j =25o C

1.70

О F =820А,В GE =0V,T j =175o C

1.65

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =450A,

-di/dt=7760А/μс,V GE =-8В Л S =24nH ,T j =25o C

10.1

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

287

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.83

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =450A,

-di/dt=6300А/μс,V GE =-8В Л S =24nH ,T j =150o C

25.6

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

341

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.32

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =450A,

-di/dt=5990А/μс,V GE =-8В Л S =24nH ,T j =175o C

30.4

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

354

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

10.6

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.75

мОм

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

T основание <40o C

T основание 40o C

(относительное давление)

2.5 2.0

пруток

Пруток фНП

Переходный пункт -к -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △V/ △t=10,0 дм 3/мин ,T F =75o C

0.103 0.169

0.118 0.194

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g