Краткое введение действие
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1700В 650А
Особенности
-
Низкий V СЕ (сидел ) Опоры IGBT тЕХНОЛОГИЯ
-
10 мкм краткосвязь иллитет
-
V СЕ (сидел ) с положительный температура коэффициент
-
Максимальный температура соединения 175o C
-
Увеличенный диод для регенеративного операция
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
-
Высокая мощность и термическая цикличность сущность
Типичный Области применения
- Высоковольтный преобразователь
- Ветро- и солнечная энергия
- Привод тяги
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C =25o C если только иначе заметка
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Коллекторный ток @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
1073
650
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1300 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C |
4.2 |
кВт |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1700 |
V |
О F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
650 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1300 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Температура хранения Дальность действия |
-40 до +150 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту |
4000 |
V |
IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
О C =650A,V GE =15В, T j =25o C |
|
1.90 |
2.35 |
V
|
О C =650A,V GE =15В, T j =125o C |
|
2.35 |
|
О C =650A,V GE =15В, T j =150o C |
|
2.45 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =24.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
2.3 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц,
V GE =0В
|
|
72.3 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
1.75 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =- 15…+15В |
|
5.66 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =650A, Пруток Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, V GE =±15В,Т j =25o C
|
|
468 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
86 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
850 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
363 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
226 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
161 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =650A, Пруток Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, V GE =±15В,Т j = 125o C
|
|
480 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
110 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
1031 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
600 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
338 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
226 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =650A, Пруток Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, V GE =±15В,Т j = 150o C
|
|
480 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
120 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
1040 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
684 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
368 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
242 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
T j =150o C,V CC = 1000V, V СМК ≤1700V
|
|
2600
|
|
А
|
Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед
Напряжение
|
О F =650A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
О F =650A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
О F =650A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
2.02 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В T j =25o C
|
|
176 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
765 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
87.4 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В T j = 125o C
|
|
292 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
798 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
159 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В T j = 150o C
|
|
341 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
805 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
192 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
δR/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C = 100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
18 |
|
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.30 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
35.8
71.3
|
К/кВт |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Корпус к радиатору (п ер диод)
Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
13.5
26.9
4.5
|
|
К/кВт |
|
М
|
Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5 |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10.0
6.0
|
Н.М
|
G |
Вес из Модуль |
|
810 |
|
g |
EN
