GD650HFX170P1S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =650A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.90

2.35

В

Я C =650A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.35

Я C =650A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.45

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.3

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

72.3

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.75

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

5.66

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j =25 о C

468

nS

т r

Время нарастания

86

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

850

nS

т f

Время спада

363

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

226

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

161

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j = 125о C

480

nS

т r

Время нарастания

110

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1031

nS

т f

Время спада

600

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

338

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

226

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j = 150о C

480

nS

т r

Время нарастания

120

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1040

nS

т f

Время спада

684

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

368

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

242

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 1000V, В СМК ≤1700V

2600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =650A,V GE =0V,T j =25 о C

1.85

2.30

В

Я F =650A,V GE =0V,T j = 125о C

1.98

Я F =650A,V GE =0V,T j = 150о C

2.02

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C

176

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

765

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

87.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В Т j = 125о C

292

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

798

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

159

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В Т j = 150о C

341

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

805

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

192

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из R 100

Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К