Краткое введение действие
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1700В 650А
Особенности
-
Низкий V СЕ (сидел ) Опоры IGBT тЕХНОЛОГИЯ
-
10 мкм краткосвязь иллитет
-
В СЕ (сидел ) с положительный температура коэффициент
-
Максимальное температура соединения 175о C
-
Увеличенный диод для регенеративного операция
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
-
Высокая мощность и термическая цикличность сущность
Типовой Применения
- Высоковольтный преобразователь
- Ветро- и солнечная энергия
- Привод тяги
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе заметка
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C
@ T C = 100о C
|
1073
650
|
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1300 |
A |
P Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C |
4.2 |
кВт |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1700 |
В |
Я К |
Диод непрерывно передний арендная плата |
650 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1300 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Температура хранения Запас хода |
-40 до +150 |
о C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту |
4000 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C =650A,V GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.90 |
2.35 |
В
|
Я C =650A,V GE =15В, Т j =125 о C |
|
2.35 |
|
Я C =650A,V GE =15В, Т j =150 о C |
|
2.45 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Ток
|
В СЕ = В CES ,В GE =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
5.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
2.3 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц,
В GE =0В
|
|
72.3 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
1.75 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =- 15…+15В |
|
5.66 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j =25 о C
|
|
468 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
86 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
850 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
363 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
226 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
161 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j = 125о C
|
|
480 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
110 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
1031 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
600 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
338 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
226 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =900V,I C =650A, R Гон = 1,8Ω,R Гофф =2.7Ω, В GE =±15В,Т j = 150о C
|
|
480 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
120 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
1040 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
684 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
368 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
242 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
Т j =150 о C,V CC = 1000V, В СМК ≤1700V
|
|
2600
|
|
A
|
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В К
|
Диод вперед
Напряжение
|
Я К =650A,V GE =0V,T j =25 о C |
|
1.85 |
2.30 |
В
|
Я К =650A,V GE =0V,T j = 125о C |
|
1.98 |
|
Я К =650A,V GE =0V,T j = 150о C |
|
2.02 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =900V,I К =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C
|
|
176 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
765 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
87.4 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =900V,I К =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В Т j = 125о C
|
|
292 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
798 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
159 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =900V,I К =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15В Т j = 150о C
|
|
341 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
805 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
192 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
δR/R |
Отклонение из R 100 |
Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.30 |
|
мОм |
R thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
35.8
71.3
|
К/кВт |
|
R thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Корпус к радиатору (п ер диод)
Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
13.5
26.9
4.5
|
|
К/кВт |
|
М
|
Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5 |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10.0
6.0
|
Н.М
|
G |
Вес из Модуль |
|
810 |
|
g |
EN
