GD3600SGT120C4S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Описание

GD3600SGT120C4S

Единицы

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

@ T C =25℃

@ T C =80℃

4800

А

3600

О CM (1)

Импульсный ток коллектора t p = 1мс

7200

А

О F

Диод непрерывного прямого тока

3600

А

О ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

7200

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175℃

16.7

кВт

T jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Монтаж

Сигнальный терминал Винт:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Крутящий момент

Монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

T j =25℃

1200

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя

Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25℃

400

нД

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

О C =145mA ,V СЕ =V GE ,T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

О C =3600А,В GE =15В, T j =25℃

1.70

2.15

V

О C =3600А,В GE =15В, T j =125℃

2.00

2.45

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

Q G

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

35.0

μC

Пруток Гинт

Внутренний затворный резистор

T j =25℃

0.5

ω

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =3600А, Пруток Гон =0.8Ω,

Пруток Гофф =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =25℃

600

nS

t пруток

Время нарастания

235

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

825

nS

t f

Время спада

145

nS

Е по

Включить Потери при переключении

/

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

/

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =3600А, Пруток Гон =0.8Ω,

Пруток Гофф =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =125℃

665

nS

t пруток

Время нарастания

215

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

970

nS

t f

Время спада

180

nS

Е по

Включить Потери при переключении

736

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

569

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

258

нФ

C - Да.

Выходной объем

13.5

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

11.7

нФ

О SC

Данные SC

t S C ≤10 мс,В GE =15В, T j =125℃v CC = 900 В, V СМК ≤1200В

14000

А

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

10

nH

Пруток CC ’+EE ’

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.12

м ω

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед

Напряжение

О F =3600А

T j =25℃

1.65

2.15

V

T j =125℃

1.65

2.15

Q пруток

Восстановленная зарядка

О F =3600А,

V Пруток =600 В,

Пруток Гон =0.8Ω,

V GE =- 15В

T j =25℃

360

μC

T j =125℃

670

О RM

Обратное восстановление Текущий

T j =25℃

2500

А

T j =125℃

3200

Е rec

Обратное восстановление Энергия

T j =25℃

97

mJ

T j =125℃

180

Символ

Параметры

Тип.

Макс.

Единицы

Пруток θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

9.0

К/кВт

Пруток θ Д.К.

Соединение-к-корпусу (на диод de)

15.6

К/кВт

Пруток θ CS

Сборка из коробки в раковину

(Проводящая смазка нанесена, на М (отрывок)

4

К/кВт

Вес

Вес из Модуль

2250

g