GD3600SGT120C4S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

GD3600SGT120C4S

Единицы

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

@ T C=25℃

@ T C=80℃

4800

A

3600

Я См (1)

Импульсный ток коллектора t p = 1мс

7200

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

3600

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

7200

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175℃

16.7

кВт

T jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Установка

Сигнальный терминал Винт:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Крутящий момент

Установка Винт: M6

4.25 до 5.75

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

T j =25℃

1200

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25℃

400

нД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C=145mA ,V СЕ =V GE ,T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=3600А,В GE =15В, T j =25℃

1.70

2.15

V

Я C=3600А,В GE =15В, T j =125℃

2.00

2.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

35.0

μC

Пруток Гинт

Внутренний затворный резистор

T j =25℃

0.5

ω

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=3600А, Пруток Гон =0.8Ω,

Пруток Гофф =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =25℃

600

nS

t пруток

Время нарастания

235

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

825

nS

t f

Время спада

145

nS

Eвключено

Включить Потери при переключении

/

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

/

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=3600А, Пруток Гон =0.8Ω,

Пруток Гофф =0.2Ω,

V GE =±15V,T j =125℃

665

nS

t пруток

Время нарастания

215

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

970

nS

t f

Время спада

180

nS

Eвключено

Включить Потери при переключении

736

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

569

mJ

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

258

нФ

C- Да.

Выходной объем

13.5

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

11.7

нФ

Я SC

Данные SC

t С C≤10 мс,В GE =15В, T j =125℃v CC = 900 В, V СМК ≤1200В

14000

A

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

10

nH

Пруток CC ’+EE ’

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.12

м ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =3600А

T j =25℃

1.65

2.15

V

T j =125℃

1.65

2.15

В. пруток

Восстановленная зарядка

Я F =3600А,

V Пруток =600 В,

Пруток Гон =0.8Ω,

V GE =- 15В

T j =25℃

360

μC

T j =125℃

670

Я RM

Обратное восстановление Текущий

T j =25℃

2500

A

T j =125℃

3200

Erec

Обратное восстановление Энергия

T j =25℃

97

mJ

T j =125℃

180

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

Пруток θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

9.0

К/кВт

Пруток θ Д.К.

Соединение-к-корпусу (на диод de)

15.6

К/кВт

Пруток θ CS

Сборка из коробки в раковину

(Проводящая смазка нанесена, на М (отрывок)

4

К/кВт

Вес

Вес из МОДУЛЬ

2250

г