GD3600SGT120C4S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Описание

GD3600SGT120C4S

Единицы

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

В

Я C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

4800

A

3600

Я CM (1)

Импульсный ток коллектора t р = 1мс

7200

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

3600

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

7200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =17 5℃

16.7

кВт

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

В

Монтаж

Сигнальный терминал Винт:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Крутящий момент

Монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

Т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 ℃

400

нД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =145 mA ,В СЕ = В GE ,Т j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

В

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =3600А,В GE =15В, Т j =25 ℃

1.70

2.15

В

Я C =3600А,В GE =15В, Т j =125 ℃

2.00

2.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

35.0

μC

R Гинт

Внутренний затворный резистор

Т j =25 ℃

0.5

ω

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =3600А, R Гон =0.8Ω,

R Гофф =0.2Ω,

В GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

nS

т r

Время нарастания

235

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

825

nS

т f

Время спада

145

nS

Е нА

Включить Потери при переключении

/

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

/

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =3600А, R Гон =0.8Ω,

R Гофф =0.2Ω,

В GE = ± 15V,T j =125 ℃

665

nS

т r

Время нарастания

215

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

970

nS

т f

Время спада

180

nS

Е нА

Включить Потери при переключении

736

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

569

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

258

нФ

C - Да.

Выходной объем

13.5

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

11.7

нФ

Я SC

Данные SC

т S C ≤ 10 мс,В GE =15В, Т j =125 ℃ v CC = 900 В, В СМК ≤ 1200В

14000

A

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

10

nH

R CC + EE ’

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.12

м ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =3600А

Т j =25 ℃

1.65

2.15

В

Т j =125 ℃

1.65

2.15

Q r

Восстановленная зарядка

Я F =3600А,

В R =600 В,

R Гон =0.8Ω,

В GE =- 15В

Т j =25 ℃

360

μC

Т j =125 ℃

670

Я RM

Обратное восстановление Ток

Т j =25 ℃

2500

A

Т j =125 ℃

3200

Е rec

Обратное восстановление Энергия

Т j =25 ℃

97

mJ

Т j =125 ℃

180

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

R θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

9.0

К/кВт

R θ Д.К.

Соединение-к-корпусу (на диод de)

15.6

К/кВт

R θ КС

Сборка из коробки в раковину

(Проводящая смазка нанесена, на М (отрывок)

4

К/кВт

Вес

Вес из Модуль

2250

g