GD900SGF120A3SN,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

1466

900

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

5.34

кВт

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1800

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =900A,V GE =15В, Т vj =25 о C

2.00

2.45

В

Я C =900A,V GE =15В, Т vj =125 о C

2.50

Я C =900A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.65

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 32,0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.44

ω

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R Гон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

В GE =-10/ +15В, Т vj =25 о C

520

nS

т r

Время нарастания

127

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

493

nS

т f

Время спада

72

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

76.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

85.0

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R Гон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

В GE =-10/ +15В, Т vj =125 о C

580

nS

т r

Время нарастания

168

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

644

nS

т f

Время спада

89

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

127

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

98.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R Гон =1Ω, R Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

В GE =-10/ +15В, Т vj =150 о C

629

nS

т r

Время нарастания

176

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

676

nS

т f

Время спада

96

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

134

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

99.0

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =900A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.95

2.40

В

Я F =900A,V GE =0V,T vj =125 о C

2.00

Я F =900A,V GE =0V,T vj =150 о C

2.05

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=7100А/мкс, Ls=50нГ, В GE =-10В,

Т vj =25 о C

80

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

486

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

35.0

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=5180А/мкс, Ls=50нГ, В GE =-10В,

Т vj =125 о C

153

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

510

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

64.0

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4990А/мкс, Ls=50нГ, В GE =-10В,

Т vj =150 о C

158

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

513

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

74.0

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.19

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

28.1 44.1

К/кВт

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

9.82 15.4 6.0

К/кВт

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Вес из Модуль

1050

g