GD900SGF120A3SN,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C

1466

900

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1800

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

5.34

кВт

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

900

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1800

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =900A,V GE =15В, T vj =25o C

2.00

2.45

V

О C =900A,V GE =15В, T vj =125o C

2.50

О C =900A,V GE =15В, T vj =150o C

2.65

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =32.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.44

ω

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =900A, Пруток Гон =1Ω, Пруток Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

V GE =-10/ +15В, T vj =25o C

520

nS

t пруток

Время нарастания

127

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

493

nS

t f

Время спада

72

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

76.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

85.0

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =900A, Пруток Гон =1Ω, Пруток Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

V GE =-10/ +15В, T vj =125o C

580

nS

t пруток

Время нарастания

168

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

644

nS

t f

Время спада

89

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

127

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

98.5

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =900A, Пруток Гон =1Ω, Пруток Гофф =2Ω, Ls=50нГ,

V GE =-10/ +15В, T vj =150o C

629

nS

t пруток

Время нарастания

176

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

676

nS

t f

Время спада

96

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

134

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

99.0

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =900A,V GE =0V,T vj =25o C

1.95

2.40

V

О F =900A,V GE =0V,T vj =125o C

2.00

О F =900A,V GE =0V,T vj =150o C

2.05

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=7100А/мкс, Ls=50нГ, V GE =-10В,

T vj =25o C

80

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

486

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

35.0

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=5180А/мкс, Ls=50нГ, V GE =-10В,

T vj =125o C

153

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

510

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

64.0

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4990А/мкс, Ls=50нГ, V GE =-10В,

T vj =150o C

158

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

513

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

74.0

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.19

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

28.1 44.1

К/кВт

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

9.82 15.4 6.0

К/кВт

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Крутящий момент соединения терминала, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Вес из Модуль

1050

g