GD900HFX120P1SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1522

900

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1800

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

5.24

кВт

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1800

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=900A,V GE =15В, T j =25o C

1.70

2.15

V

Я C=900A,V GE =15В, T j =125o C

1.95

Я C=900A,V GE =15В, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=22.5mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.63

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

93.2

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

2.61

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ﹍+15В

6.99

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=900A, Пруток Г =1.6Ω,

V GE =±15В, T j =25o C

214

nS

t пруток

Время нарастания

150

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

721

nS

t f

Время спада

206

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

76

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

128

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=900A, Пруток Г =1.6Ω,

V GE =±15В, T j =125o C

235

nS

t пруток

Время нарастания

161

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

824

nS

t f

Время спада

412

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

107

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

165

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=900A, Пруток Г =1.6Ω,

V GE =±15В, T j =150o C

235

nS

t пруток

Время нарастания

161

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

876

nS

t f

Время спада

464

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

112

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

180

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

3600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.25

V

Я F =900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.85

Я F =900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.80

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В T j =25o C

86

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

475

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

36.1

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В T j = 125o C

143

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

618

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

71.3

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В T j = 150o C

185

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

665

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

75.1

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из Пруток 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2—

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2—

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2—

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

18

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.30

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

28.6

51.9

К/кВт

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

14.0

25.3

4.5

К/кВт

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

825

г