GD900HFX120P1SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

1522

900

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

5.24

кВт

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1800

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =900A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =900A,V GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =900A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =22.5 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.63

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

93.2

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

2.61

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ﹍+15В

6.99

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R G =1.6Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

214

nS

т r

Время нарастания

150

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

721

nS

т f

Время спада

206

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

76

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

128

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R G =1.6Ω,

В GE =±15В, Т j =125 о C

235

nS

т r

Время нарастания

161

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

824

nS

т f

Время спада

412

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

107

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

165

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R G =1.6Ω,

В GE =±15В, Т j =150 о C

235

nS

т r

Время нарастания

161

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

876

nS

т f

Время спада

464

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

112

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

180

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

3600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =900A,V GE =0V,T j =25 о C

1.90

2.25

В

Я F =900A,V GE =0V,T j = 125о C

1.85

Я F =900A,V GE =0V,T j = 150о C

1.80

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В Т j =25 о C

86

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

475

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

36.1

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В Т j = 125о C

143

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

618

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

71.3

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В Т j = 150о C

185

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

665

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

75.1

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из R 100

Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

18

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.30

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

28.6

51.9

К/кВт

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

14.0

25.3

4.5

К/кВт

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

825

g