Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 800А.
Особенности
-
Низкое VCE(sat) Trench IGB T технология
- Возможности короткого замыкания
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
-
Максимальный температура соединения 175o C
- Склад с низкой индуктивностью
-
Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
-
Изолированная медная основа e с использованием технологии DBC
Типичный Области применения
- Гибридные и электрические транспортные средства
- Инвертор для привода мотора
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C=25о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Ценности |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
И C |
Коллекторный ток @ T C=100о C |
800 |
А |
И См |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1600 |
А |
PД |
Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175о C |
4687 |
Ш |
Диод
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Ценности |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
И F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
900 |
А |
И ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1800 |
А |
И ФСМ |
Напряжение вперед t p = 10 мс @ T vj =125о C @ T vj =175о C |
2392
2448
|
А |
И 2t |
И 2t- значение ,t p =10ms @ T vj =125о C@ T vj =175о C |
28608
29964
|
А 2с |
МОДУЛЬ
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
T vjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
T vjop |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
И C= 800 А,В GE =15В, T vj =25о C |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
И C= 800 А,В GE =15В, T vj =125о C |
|
1.60 |
|
И C= 800 А,В GE =15В, T vj =175о C |
|
1.60 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
И C=24.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25о C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
И CES |
Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25о C |
|
|
1.0 |
mA |
И ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25о C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.5 |
|
ω |
Cies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В |
|
28.4 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.15 |
|
нФ |
В Г |
Сбор за вход |
V GE =-15…+15V |
|
2.05 |
|
μC |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=800A, Пруток Г =0.5Ω, L С =40nH, V GE =-8V/+15V,
T vj =25о C
|
|
168 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
78 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
428 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
123 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
43.4 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
77.0 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=800A,
Пруток Г =0.5Ω, L С =40nH,
V GE =-8V/+15V,
T vj =125о C
|
|
172 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
84 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
502 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
206 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
86.3 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
99.1 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=800A,
Пруток Г =0.5Ω, L С =40nH,
V GE =-8V/+15V,
T vj =175о C
|
|
174 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
90 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
531 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
257 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
99.8 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
105 |
|
mJ |
|
И SC
|
Данные SC
|
t P≤8μs, V GE =15В,
T vj =150о В,
V CC =800V, V СМК ≤1200В
|
|
2600
|
|
А
|
|
t P≤6μs, V GE =15В,
T vj =175о В,
V CC =800V, V СМК ≤1200В
|
|
2500
|
|
А
|
Диод Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
И F =900A,V GE =0V,T vj =25о C |
|
1.60 |
2.00 |
V
|
И F =900A,V GE =0V,T vj =125о C |
|
1.60 |
|
И F =900A,V GE =0V,T vj =175о C |
|
1.50 |
|
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =800A,
-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, LС =40nH ,T vj =25о C
|
|
47.7 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
400 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
13.6 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =800A,
-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, LС =40nH ,T vj =125о C
|
|
82.7 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
401 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
26.5 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =800A,
-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, LС =40nH ,T vj =175о C
|
|
110 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
413 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
34.8 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C=100 о C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
МОДУЛЬ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
LСЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.80 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде) |
|
|
0.032
0.049
|
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль) |
|
0.030
0.046
0.009
|
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
Н.М |
Г |
Вес из МОДУЛЬ |
|
350 |
|
г |