1200В 800А Упаковка:C6.1
Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 800А.
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Ценности |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =100 о C |
800 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t р =1 мс |
1600 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C |
4687 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Ценности |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
В |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
900 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t р =1 мс |
1800 |
A |
Я ФСМ |
Напряжение вперед t р = 10 мс @ T vj =12 5о C @ T vj =175 о C |
2392 2448 |
A |
Я 2т |
Я 2t- значение ,т р =10 mS @ Т vj =125 о C @ T vj =175 о C |
28608 29964 |
A 2s |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т vjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т vjop |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =25 о C |
|
1.40 |
1.85 |
В |
Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =125 о C |
|
1.60 |
|
|||
Я C = 800 А,В GE =15В, Т vj =175 о C |
|
1.60 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В |
|
28.4 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.15 |
|
нФ |
|
Q G |
Сбор за вход |
В GE =-15…+15V |
|
2.05 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =800A, R G =0.5Ω, L S =40nH, В GE =-8V/+15V, Т vj =25 о C |
|
168 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
78 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
428 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
123 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
43.4 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
77.0 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =800A, R G =0.5Ω, L S =40nH, В GE =-8V/+15V, Т vj =125 о C |
|
172 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
84 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
502 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
206 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
86.3 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
99.1 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =800A, R G =0.5Ω, L S =40nH, В GE =-8V/+15V, Т vj =175 о C |
|
174 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
90 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
531 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
257 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
99.8 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
105 |
|
mJ |
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤8μs, В GE =15В, Т vj =150 о В, В CC =800V, В СМК ≤ 1200В |
|
2600 |
|
A |
т Р ≤6μs, В GE =15В, Т vj =175 о В, В CC =800V, В СМК ≤ 1200В |
|
2500 |
|
A |
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =900A,V GE =0V,T vj =2 5о C |
|
1.60 |
2.00 |
В |
Я F =900A,V GE =0V,T vj =125 о C |
|
1.60 |
|
|||
Я F =900A,V GE =0V,T vj =175 о C |
|
1.50 |
|
|||
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =800A, -di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, Л S =40 nH ,Т vj =25 о C |
|
47.7 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
400 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
13.6 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =800A, -di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, Л S =40 nH ,Т vj =125 о C |
|
82.7 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
401 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
26.5 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =800A, -di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, Л S =40 nH ,Т vj =175 о C |
|
110 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
413 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
34.8 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из R 100 |
Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
Р 25 |
Мощность Рассеяние |
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.80 |
|
мОм |
R thJC |
Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде) |
|
|
0.032 0.049 |
K/W |
R thCH |
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль) |
|
0.030 0.046 0.009 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
350 |
|
g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.