Модуль IGBT 1200 В

GD720HTA120P6HLT,Модуль IGBT,STARPOWER

1200В 720А Упаковка:P6

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD720HTA120P6HLT

Введение
Основные положения
Схема эквивалентной цепи

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER .1200V 720А.

Особенности

Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
Низкие потери при переключении
способность к короткому замыканию 4мкс
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Максимальная температура соединения 175oC
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная пинфин-плита с использованием технологии Si3N4AMB

Типовые области применения

Автомобильный приложение
Гибридные и электрические транспортные средства
Инвертор для привода мотора

Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	ОПИСАНИЕ	Ценности	Единица
V CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	V
V ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	V
И CN	Использование коллектора Cu ренты	720	А
И C	Коллекторный ток @ T F =65о C	600	А
И См	Импульсный ток коллектора t p =1 мс	1440	А
PД	Максимальное распределение мощности ация @ T F =75о C T vj =175о C	1204	Ш

Диод

Символ	ОПИСАНИЕ	Ценности	Единица
V RRM	Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE	1200	V
И ФН	Использование коллектора Cu ренты	720	А
И F	Диод Непрерывный прямой ток ренты	600	А
И ЧМ	Максимальный прямой ток диода t p =1 мс	1440	А

МОДУЛЬ

Символ	ОПИСАНИЕ	Значение	Единица
T vjmax	Максимальная температура стыка	175	о C
T vjop	Рабочая температура развязки непрерывная Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я	-40 до +150 +150 до +175	о C
T СТГ	Диапазон температур хранения	-40 до +125	о C
V ISO	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН	3000	V

IGBT Характеристики T F =25о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
V CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	И C=600А,В GE =15В, T vj =25о C		1.50		V
		И C=600А,В GE =15В, T vj =150о C		1.80
		И C=600А,В GE =15В, T vj =175о C		1.85
		И C=720А,V GE =15В, T vj =25о C		1.60
		И C=720А,V GE =15В, T vj =175о C		2.05
V GE (th)	Предельный уровень выпускателя Напряжение	И C=15.6mA ,V СЕ =V GE , T vj =25о C		6.0		V
И CES	Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий	V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25о C			1.0	mA
И ГЭС	Утечка излучателя Текущий	V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25о C			400	нД
Пруток Гинт	Сопротивление внутреннего воротника			1.67		ω
Cies	Входной пропускной способностью	V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В		48.7		нФ
C- Да.	Выходной объем			1.55		нФ
Cres	Обратная передача Пропускная способность			0.26		нФ
В Г	Сбор за вход	V СЕ =800В,I C =600A, V GE =-8...+15В		3.52		μC
t д (включено )	Время задержки включения	V CC =800В,I C=600А, Пруток Гон =3.0Ω, Пруток Гофф =1,0Ω, LС =24нГн, V GE =-8V/+15V, T vj =25о C		208		nS
t пруток	Время нарастания			65		nS
t d(off)	Выключение Время задержки			505		nS
t f	Время спада			104		nS
Eвключено	Включить Переключение Потеря			77.7		mJ
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			62.2		mJ
t д (включено )	Время задержки включения	V CC =800В,I C=600А, Пруток Гон =3.0Ω, Пруток Гофф =1,0Ω, LС =24нГн, V GE =-8V/+15V, T vj =150о C		225		nS
t пруток	Время нарастания			75		nS
t d(off)	Выключение Время задержки			567		nS
t f	Время спада			191		nS
Eвключено	Включить Переключение Потеря			110		mJ
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			83.4		mJ
t д (включено )	Время задержки включения	V CC =800В,I C=600А, Пруток Гон =3.0Ω, Пруток Гофф =1,0Ω, LС =24нГн, V GE =-8V/+15V, T vj =175о C		226		nS
t пруток	Время нарастания			77		nS
t d(off)	Выключение Время задержки			583		nS
t f	Время спада			203		nS
Eвключено	Включить Переключение Потеря			118		mJ
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			85.9		mJ
И SC	Данные SC	t P≤4мкс, V GE =15В, T vj =175о C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В		2600		А

Диод Характеристики T F =25о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
V F	Диод вперед Напряжение	И F =600А,В GE =0V,T vj =25о C		1.95		V
		И F =600А,В GE =0V,T vj =150о C		1.95
		И F =600А,В GE =0V,T vj =175о C		1.90
		И F =720А,V GE =0V,T vj =25о C		2.05
		И F =720А,V GE =0V,T vj =175о C		2.05
В пруток	Восстановленная зарядка	V Пруток =800В,I F =600А, -di/dt=8281A/мкс, L С =24n H, V GE =-8V, T vj =25о C		44.3		μC
И RM	Пик обратный Ток восстановления			346		А
Erec	Обратное восстановление Энергия			16.2		mJ
В пруток	Восстановленная зарядка	V Пруток =800В,I F =600А, -ди/дт=6954A/μс, L С =24n H, V GE =-8V, T vj =150о C		73.4		μC
И RM	Пик обратный Ток восстановления			385		А
Erec	Обратное восстановление Энергия			27.8		mJ
В пруток	Восстановленная зарядка	V Пруток =800В,I F =600А, -ди/дт=6679A/μс, L С =24n H, V GE =-8V, T vj =175о C		80.7		μC
И RM	Пик обратный Ток восстановления			392		А
Erec	Обратное восстановление Энергия			30.7		mJ

НТЦ Характеристики T F =25о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Пруток 25	Номинальное сопротивление			5.0		кΩ
∆R/R	Отклонение из Пруток 100	T C=100 о C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P25	Мощность Рассеяние				20.0	мВт
B 25/50	B-значение	Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]		3375		К
B 25/80	B-значение	Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]		3411		К
B 25/100	B-значение	Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]		3433		К

МОДУЛЬ Характеристики T F =25о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
LСЕ	Индуктивность отклоняющейся		8		nH
Пруток CC+EE	Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип		0.75		мОм
p	Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка T основание <40о C T основание 40о C (относительное давление)			2.5 2.0	пруток
Пруток фНП	Переходный пункт —до —Охлаждение Жидкость (наIGBT )Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) △V/ △t=10,0 дм 3/мИН ,T F =75о C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
М	Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4	3.6 1.8		4.4 2.2	Н.М
Г	Вес из МОДУЛЬ		750		г

Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT

Диодный модуль

Пластина IGBT/FRD

Модуль IGCT

SiC

МОП-транзистор

Высокоточный АЦП

Высокопроизводительный ЦАП

Измерительные усилители

Высокоточный LDO

Опорные Напряжения

Тип Диодного Модуля

Тиристорный/диодный модуль

Реле

Интегральный Контроллер

Контроллер Мощности

РЕШЕНИЯ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОЙ ВЫПРЯМЛЕНИЯ ПИТАНИЯ

GD720HTA120P6HLT,Модуль IGBT,STARPOWER

Введение

Основные положения

Схема эквивалентной цепи

Сопутствующий товар

Y89KFG, Несимметричный быстродействующий тиристор

Y76KFE, Несимметричный тиристор быстрого выключения

MK(H)x400 MK400, Быстродействующие модули тиристоров, Водяное охлаждение

JGC-5379M 0,3A/±80V Четыре нормально разомкнутых выхода（4A） Photo MOS Relay for Defense, aerospace, automation control, ignition control

JCKZQ-13M 20A/50Vd.c. четырехканальный герметичный интегрированный контроллер

CM7506L Прецизионный ЦАП, 16 бит

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Все категории

Получить бесплатное предложение

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

GD720HTA120P6HLT,Модуль IGBT,STARPOWER

Введение

Основные положения

Схема эквивалентной цепи

Получить бесплатное предложение

Сопутствующий товар

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Получить бесплатное предложение

Получить бесплатное предложение