GD720HTA120P6HLT, Модуль IGBT, STARPOWER

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 720А.

Особенности

Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
Низкие потери при переключении
способность к короткому замыканию 4мкс
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Максимальная температура соединения 175oC
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная пинфин-плита с использованием технологии Si3N4AMB

Типичные применения

Автомобильное применение
Гибридные и электрические транспортные средства
Инвертор для привода мотора

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т F =25 о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	Ценности	Единица
В CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	В
В ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я CN	Использование коллектора Cu ренты	720	A
Я C	Коллекторный ток @ T F =65 о C	600	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t р =1 мс	1440	A
Р Г	Максимальное распределение мощности ация @ Т F =75 о C Т vj =175 о C	1204	В

Диод

Символ	Описание	Ценности	Единица
В RRM	Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE	1200	В
Я ФН	Использование коллектора Cu ренты	720	A
Я F	Диод Непрерывный прямой ток ренты	600	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t р =1 мс	1440	A

Модуль

Символ	Описание	Значение	Единица
Т vjmax	Максимальная температура стыка	175	о C
Т vjop	Рабочая температура развязки непрерывная Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я	-40 до +150 +150 до +175	о C
Т СТГ	Диапазон температур хранения	-40 до +125	о C
В ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин	3000	В

IGBT Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =600А,В GE =15В, Т vj =25 о C		1.50		В
		Я C =600А,В GE =15В, Т vj =150 о C		1.80
		Я C =600А,В GE =15В, Т vj =175 о C		1.85
		Я C =720А,V GE =15В, Т vj =25 о C		1.60
		Я C =720А,V GE =15В, Т vj =175 о C		2.05
В GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C = 15,6 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C		6.0		В
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток	В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C			1.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя Ток	В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C			400	нД
R Гинт	Сопротивление внутреннего воротника			1.67		ω
C ies	Входной пропускной способностью	В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В		48.7		нФ
C - Да.	Выходной объем			1.55		нФ
C res	Обратная передача Пропускная способность			0.26		нФ
Q G	Сбор за вход	В СЕ =800В,I C =600A, V GE =-8...+15В		3.52		μC
т г (нА )	Время задержки включения	В CC =800В,I C =600А, R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л S =24нГн, В GE =-8V/+15V, Т vj =25 о C		208		nS
т r	Время нарастания			65		nS
т d(off)	Выключение Время задержки			505		nS
т f	Время спада			104		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			77.7		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			62.2		mJ
т г (нА )	Время задержки включения	В CC =800В,I C =600А, R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л S =24нГн, В GE =-8V/+15V, Т vj =150 о C		225		nS
т r	Время нарастания			75		nS
т d(off)	Выключение Время задержки			567		nS
т f	Время спада			191		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			110		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			83.4		mJ
т г (нА )	Время задержки включения	В CC =800В,I C =600А, R Гон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, Л S =24нГн, В GE =-8V/+15V, Т vj =175 о C		226		nS
т r	Время нарастания			77		nS
т d(off)	Выключение Время задержки			583		nS
т f	Время спада			203		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			118		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			85.9		mJ
Я SC	Данные SC	т Р ≤4мкс, В GE =15В, Т vj =175 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В		2600		A

Диод Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =600А,В GE =0V,T vj =2 5о C		1.95		В
		Я F =600А,В GE =0V,T vj =150 о C		1.95
		Я F =600А,В GE =0V,T vj =175 о C		1.90
		Я F =720А,V GE =0V,T vj =2 5о C		2.05
		Я F =720А,V GE =0V,T vj =175 о C		2.05
Q r	Восстановленная зарядка	В R =800В,I F =600А, -di/dt=8281A/мкс, L S =24n H, В GE =-8V, Т vj =25 о C		44.3		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			346		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			16.2		mJ
Q r	Восстановленная зарядка	В R =800В,I F =600А, -ди/дт=6954A/μс, L S =24n H, В GE =-8V, Т vj =150 о C		73.4		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			385		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			27.8		mJ
Q r	Восстановленная зарядка	В R =800В,I F =600А, -ди/дт=6679A/μс, L S =24n H, В GE =-8V, Т vj =175 о C		80.7		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			392		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			30.7		mJ

НТЦ Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
R 25	Номинальное сопротивление			5.0		кΩ
∆R/R	Отклонение из R 100	Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
Р 25	Мощность Рассеяние				20.0	мВт
B 25/50	B-значение	R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		К
B 25/80	B-значение	R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		К
B 25/100	B-значение	R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристики Т F =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся		8		nH
R CC+EE	Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип		0.75		мОм
р	Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка Т основание < 40 о C Т основание > 40 о C (относительное давление)			2.5 2.0	штанга
R фНП	Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т F =75 о C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
М	Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4	3.6 1.8		4.4 2.2	Н.М
G	Вес из Модуль		750		g