IDG75X12T2, IGBT дискретный, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C

150

75

А

О CM

Импульсный Коллектор Текущий t p ограниченный от T vjmax

225

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

852

Ш

Символ

Описание

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

75

А

О ЧМ

Импульсный Коллектор Текущий t p ограниченный от T vjmax

225

А

Символ

Описание

Ценности

Единица

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-55 до +150

o C

T S

Температура пайки,1.6mm f rom case for 10с

260

o C

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =75A,V GE =15В, T vj =25o C

1.75

2.20

V

О C =75A,V GE =15В, T vj =150o C

2.10

О C =75A,V GE =15В, T vj =175o C

2.20

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =3.00mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

250

μA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

100

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

2.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

6.58

нФ

C - Да.

Выходной объем

0.40

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.19

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =75A, Пруток G = 4,7Ω,

V GE =±15В, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

nS

t пруток

Время нарастания

135

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

87

nS

t f

Время спада

255

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

12.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.6

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =75A, Пруток G = 4,7Ω,

V GE =±15В, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

nS

t пруток

Время нарастания

140

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

164

nS

t f

Время спада

354

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

17.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.3

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =75A, Пруток G = 4,7Ω,

V GE =±15В, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

nS

t пруток

Время нарастания

140

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

167

nS

t f

Время спада

372

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

18.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.7

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T vj =175o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

300

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

О F =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.75

О F =75A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Обратный диод Время восстановления

V Пруток = 600 В,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15В, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

nS

Q пруток

Восстановленная зарядка

4.2

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

22

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

1.1

mJ

trr

Обратный диод Время восстановления

V Пруток = 600 В,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15В, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

nS

Q пруток

Восстановленная зарядка

9.80

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

33

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

2.7

mJ

trr

Обратный диод Время восстановления

V Пруток = 600 В,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15В, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

nS

Q пруток

Восстановленная зарядка

11.2

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

35

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

3.1

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.176 0.371

K/W

Пруток тГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W