IDG75X12T2, IGBT дискретный, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

150

75

A

Я CM

Импульсный Коллектор Ток т p ограниченный от Т vjmax

225

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

852

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

75

A

Я ЧМ

Импульсный Коллектор Ток т p ограниченный от Т vjmax

225

A

Символ

Описание

Ценности

Единица

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-55 до +150

о C

Т С

Температура пайки,1.6mm f rom case for 10с

260

о C

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =75A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.75

2.20

В

Я C =75A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.10

Я C =75A,V GE =15В, Т vj =175 о C

2.20

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =3.00 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.0

5.8

6.5

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

250

μA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

100

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

2.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

6.58

нФ

C - Да.

Выходной объем

0.40

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.19

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

0.49

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =75A, R G = 4,7Ω,

В GE =±15В, Ls=40nH,

Т vj =25 о C

41

nS

т r

Время нарастания

135

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

87

nS

т к

Время спада

255

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

12.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.6

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =75A, R G = 4,7Ω,

В GE =±15В, Ls=40nH,

Т vj =150 о C

46

nS

т r

Время нарастания

140

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

164

nS

т к

Время спада

354

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

17.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =75A, R G = 4,7Ω,

В GE =±15В, Ls=40nH,

Т vj =175 о C

46

nS

т r

Время нарастания

140

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

167

nS

т к

Время спада

372

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

18.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.7

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =175 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

300

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =75A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.75

2.20

В

Я К =75A,V GE =0V,T vj =15 0о C

1.75

Я К =75A,V GE =0V,T vj =17 5о C

1.75

trr

Обратный диод Время восстановления

В R = 600 В,I К =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 В, Ls=40nH,

Т vj =25 о C

267

nS

Q r

Восстановленная зарядка

4.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

22

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

1.1

mJ

trr

Обратный диод Время восстановления

В R = 600 В,I К =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 В, Ls=40nH,

Т vj =150 о C

432

nS

Q r

Восстановленная зарядка

9.80

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

33

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

2.7

mJ

trr

Обратный диод Время восстановления

В R = 600 В,I К =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 В, Ls=40nH,

Т vj =175 о C

466

nS

Q r

Восстановленная зарядка

11.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

35

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

3.1

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.176 0.371

K/W

R тГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W