GD600HFX120C6SA,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

1108

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

4054

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =600А,В GE =15В, Т j =125 о C

1.90

Я C =600А,В GE =15В, Т j =150 о C

1.95

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

62.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.74

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

4.62

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1,2Ω, Л S =34 nH , В GE =±15В,Т j =25 о C

266

nS

т r

Время нарастания

82

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

400

nS

т f

Время спада

192

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

65.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1,2Ω, Л S =34 nH , В GE =±15В,Т j =125 о C

282

nS

т r

Время нарастания

94

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

448

nS

т f

Время спада

290

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

96.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

67.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1,2Ω, Л S =34 nH , В GE =±15В,Т j =150 о C

286

nS

т r

Время нарастания

94

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

459

nS

т f

Время спада

299

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

107

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

70.3

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 о C

1.95

2.40

В

Я F =600А,В GE =0V,T j =1 25о C

2.05

Я F =600А,В GE =0V,T j =1 50о C

2.10

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5500A/μс, L S =34нГ, В GE =-15В, T j =25 о C

23.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

260

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.7

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4700A/μс, L S =34нГ, В GE =-15В, T j =125 о C

65.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

293

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4600A/μс, L S =34нГ, В GE =-15В, T j =150 о C

76.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

306

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

30.6

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.037 0.065

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028 0.050 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g