GD600HFX120C6HA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C

1108

600

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

4054

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =600А,В GE =15В, T j =25o C

1.70

2.15

V

О C =600А,В GE =15В, T j =125o C

1.90

О C =600А,В GE =15В, T j =150o C

1.95

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =24.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

62.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.74

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

4.62

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =600А, Пруток G = 1,2Ω, Л S =34nH , V GE =±15В,Т j =25o C

266

nS

t пруток

Время нарастания

82

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

400

nS

t f

Время спада

192

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

65.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

52.3

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =600А, Пруток G = 1,2Ω, Л S =34nH , V GE =±15В,Т j =125o C

282

nS

t пруток

Время нарастания

94

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

448

nS

t f

Время спада

290

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

96.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

67.3

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =600А, Пруток G = 1,2Ω, Л S =34nH , V GE =±15В,Т j =150o C

286

nS

t пруток

Время нарастания

94

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

459

nS

t f

Время спада

299

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

107

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

70.3

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

2400

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =600А,В GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

О F =600А,В GE =0V,T j =125o C

2.05

О F =600А,В GE =0V,T j =150o C

2.10

Q пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5500A/μс, L S =34нГ, V GE =-15В, T j =25o C

23.8

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

260

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.7

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4700A/μс, L S =34нГ, V GE =-15В, T j =125o C

65.1

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

293

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.4

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=4600A/μс, L S =34нГ, V GE =-15В, T j =150o C

76.7

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

306

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

30.6

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.037 0.065

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028 0.050 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g