Краткое введение
Модуль IGBT , произведено STARPOWER. 1200В 200А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- Низкие потери при переключении
- Возможности короткого замыкания
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Максимальная температура соединения 175oC
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Склад с низкой индуктивностью
- Изолированный радиатор с использованием технологии DBC
Типичные применения
- Солнечная энергия
- Система бесперебойного питания (UPS)
- 3-уровневый- применение
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
T1,T4 IGBT
Символ |
Описание |
Ценности |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C
@ T C = 100о C
|
339
200
|
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t p = 1мс |
400 |
A |
P Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C |
1456 |
В |
D1,D4 Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
В |
Я К |
Диод непрерывно передний арендная плата |
75 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p = 1мс |
150 |
A |
T2,T3 IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
650 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C
@ T C = 95 о C
|
158
100
|
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t p = 1мс |
200 |
A |
P Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C |
441 |
В |
D2,D3 Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
650 |
В |
Я К |
Диод непрерывно передний арендная плата |
100 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p = 1мс |
200 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Температура хранения Запас хода |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
2500 |
В |
T1,T4 IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =25 о C |
|
1.40 |
1.85 |
В
|
Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =125 о C |
|
1.65 |
|
Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =150 о C |
|
1.70 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =5.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Ток
|
В СЕ = В CES ,В GE =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
3.8 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц,
В GE =0В
|
|
20.7 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
0.58 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =- 15…+15В |
|
1.56 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C = 100А, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j =25 о C
|
|
142 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
25 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
352 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
33 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
1.21 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
3.90 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C = 100А, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j = 125о C
|
|
155 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
29 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
440 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
61 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
2.02 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
5.83 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C = 100А, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j = 150о C
|
|
161 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
30 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
462 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
66 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
2.24 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
6.49 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В
|
|
800
|
|
A
|
D1, D4 Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В К
|
Диод вперед
Напряжение
|
Я К =75A,V GE =0V,T j =25 о C |
|
1.70 |
2.15 |
В
|
Я К =75A,V GE =0V,T j = 125о C |
|
1.65 |
|
Я К =75A,V GE =0V,T j = 150о C |
|
1.65 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I К =75A,
-di/dt=3500А/мкс, В GE =- 15В Т j =25 о C
|
|
8.7 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
122 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
2.91 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I К =75A,
-di/dt=3500А/мкс, В GE =- 15В Т j = 125о C
|
|
17.2 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
143 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
5.72 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I К =75A,
-di/dt=3500А/мкс, В GE =- 15В Т j = 150о C
|
|
19.4 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
152 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.30 |
|
mJ |
T2, T3 IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =25 о C |
|
1.45 |
1.90 |
В
|
Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =125 о C |
|
1.60 |
|
Я C = 100А,В GE = 15V, Т j =150 о C |
|
1.70 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C = 1,60мА, В СЕ =V GE , T j =25 о C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Ток
|
В СЕ = В CES ,В GE =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
2.0 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц,
В GE =0В
|
|
11.6 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
0.23 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =- 15…+15В |
|
0.69 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C = 100А, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C
|
|
44 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
20 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
200 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
28 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
1.48 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
2.48 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C = 100А, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Т j = 125о C
|
|
48 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
24 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
216 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
40 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
2.24 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
3.28 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =400В, I C = 100А, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Т j = 150о C
|
|
52 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
24 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
224 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
48 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
2.64 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
3.68 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤6μs,V GE = 15V,
Т j =150 о C,V CC =360V, В СМК ≤650V
|
|
500
|
|
A
|
D2, D3 Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В К
|
Диод вперед
Напряжение
|
Я К = 100А,В GE =0V,T j =25 о C |
|
1.55 |
2.00 |
В
|
Я К = 100А,В GE =0V,T j = 125о C |
|
1.50 |
|
Я К = 100А,В GE =0V,T j = 150о C |
|
1.45 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I К = 100А,
-di/dt=4070А/мкс, В GE =- 15В Т j =25 о C
|
|
3.57 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
99 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
1.04 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I К = 100А,
-di/dt=4070А/мкс, В GE =- 15В Т j = 125о C
|
|
6.49 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
110 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
1.70 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =400В, I К = 100А,
-di/dt=4070А/мкс, В GE =- 15В Т j = 150о C
|
|
7.04 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
110 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
1.81 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
δR/R |
Отклонение из R 100 |
Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
R thJC
|
Соединение с корпусом (для T1, T4 IGBT)
Соединение вывода с корпусом (по D1, D4 диоду de)
Соединение вывода с корпусом (по T2, T3 IGBT)
Соединение перехода (по D2,D3 Дио de)
|
|
0.094
0.405
0.309
0.544
|
0.103
0.446
0.340
0.598
|
K/W
|
|
R thCH
|
Корпус к радиатору (на T1,T4 IGBT)
Корпус-к-радиатору (по D1,D4 Диод)
Корпус к радиатору (на T2,T3 IGBT)
Корпус-к-радиатору (по D2,D3 Диод)
Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
0.126
0.547
0.417
0.733
0.037
|
|
K/W
|
К |
Сила закрепления на зажим |
40 |
|
80 |
Н |
G |
Вес из Модуль |
|
39 |
|
g |
EN
