GD600HFX120C2SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

Временное напряжение затвора-эмиттера

±20 ±30

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

925

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

3000

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.65

2.00

В

Я C =600А,В GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =600А,В GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.25

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

60.8

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.84

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

4.64

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1,2Ω, Л С =34 nH , В GE =±15В,Т j =25 о C

339

nS

т r

Время нарастания

95

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

468

nS

т к

Время спада

168

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

63.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

56.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1,2Ω, Л С =34 nH , В GE =±15В,Т j =125 о C

418

nS

т r

Время нарастания

135

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

567

nS

т к

Время спада

269

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

108

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

72.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1,2Ω, Л С =34 nH , В GE =±15В,Т j =150 о C

446

nS

т r

Время нарастания

151

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

602

nS

т к

Время спада

281

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

123

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

78.2

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =600А,В GE =0V,T j =25 о C

1.85

2.30

В

Я К =600А,В GE =0V,T j =1 25о C

1.90

Я К =600А,В GE =0V,T j =1 50о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =600А,

-di/dt=5210A/μs,V GE = 15 В, Л С =34 nH ,Т j =25 о C

49.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

300

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

24.1

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =600А,

-di/dt=3490A/μs,V GE = 15 В, Л С =34 nH ,Т j =125 о C

85.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

314

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

33.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К =600А,

-di/dt=3080A/μs,V GE = 15 В, Л С =34 nH ,Т j =150 о C

102

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

318

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

36.8

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.050 0.080

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.033 0.052 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g