GD600HFX120C2SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

Временное напряжение затвора-эмиттера

±20 ±30

V

IC

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

925

600

A

IСм

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

3000

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

IF

Диод Непрерывный прямой ток ренты

600

A

IЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

IC=600А,В GE =15В, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC=600А,В GE =15В, T j =125o C

1.95

IC=600А,В GE =15В, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

IC=24.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.25

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

60.8

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

1.84

нФ

В G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

4.64

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток G= 1,2Ω, LС =34nH , V GE =±15В,Т j =25o C

339

nS

t пруток

Время нарастания

95

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

468

nS

t f

Время спада

168

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

63.7

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

56.4

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток G= 1,2Ω, LС =34nH , V GE =±15В,Т j =125o C

418

nS

t пруток

Время нарастания

135

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

567

nS

t f

Время спада

269

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

108

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

72.3

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток G= 1,2Ω, LС =34nH , V GE =±15В,Т j =150o C

446

nS

t пруток

Время нарастания

151

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

602

nS

t f

Время спада

281

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

123

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

78.2

mJ

ISC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

IF =600А,В GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =600А,В GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =600А,В GE =0V,T j =150o C

1.95

В пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5210A/μs,V GE = 15 В, LС =34nH ,T j =25o C

49.3

μC

IRM

Пик обратный

Ток восстановления

300

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

24.1

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=3490A/μs,V GE = 15 В, LС =34nH ,T j =125o C

85.2

μC

IRM

Пик обратный

Ток восстановления

314

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

33.8

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=3080A/μs,V GE = 15 В, LС =34nH ,T j =150o C

102

μC

IRM

Пик обратный

Ток восстановления

318

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

36.8

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.050 0.080

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.033 0.052 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из МОДУЛЬ

300

g