GD400HTX120P4SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

400

A

Я C

Коллекторный ток @ T F =25o C @ T F =75o C

400

300

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

1500

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я ФН

Реализован Forward Cu ренты

400

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C= 300 А,В GE =15В, T j =25o C

1.50

1.95

V

Я C= 300 А,В GE =15В, T j =125o C

1.60

Я C= 300 А,В GE =15В, T j =150o C

1.65

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=16.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

41.4

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

1.16

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =15В

3.11

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =500В, I C= 300A, Пруток Г =1.5Ω,В GE =±15В, Лс =25nH ,T j =25o C

74

nS

t пруток

Время нарастания

31

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

352

nS

t f

Время спада

255

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

4.01

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

22.9

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =500В, I C= 300A, Пруток Г =1.5Ω,В GE =±15В, Ls=25нГ,T j =125o C

81

nS

t пруток

Время нарастания

34

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

411

nS

t f

Время спада

397

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

7.40

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

32.2

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =500В, I C= 300A, Пруток Г =1.5Ω,В GE =±15В, Ls=25нГ,T j =150o C

82

nS

t пруток

Время нарастания

36

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

425

nS

t f

Время спада

434

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

8.90

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

35.2

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =125o C

1.70

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =150o C

1.70

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =500В, I F = 300A,

-di/dt=10600A/μs,V GE = 15 В Ls=25нГ,T j =25o C

15.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

391

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

9.40

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =500В, I F = 300A,

-di/dt=9600A/μs,V GE = 15 В Ls=25нГ,T j =125o C

24.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

457

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

18.4

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =500В, I F = 300A,

-di/dt=9500A/μs,V GE = 15 В Ls=25нГ,T j =150o C

29.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

488

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

23.2

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

△p

Падение давления в системе охлаждения слюнка

△V/ △t=10,0 дм 3/мИН ;T F =25o C;Охлаждение Жидкость=50% Вода/50% Этиленгликоль

100

мбар

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

2.5

пруток

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

14

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.80

мОм

Пруток фНП

Переходный пункт —до —Охлаждение Жидкость (наIGBT ) Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде)

0.100 0.125

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

1250

г