Модуль IGBT 1200 В

GD400CLU120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT, 1200В 400А, Корпус:C2

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD400CLU120C2SD

Введение
Основные положения
Схема эквивалентной цепи

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 400А.

Особенности

Технология NPT IGBT
возможность короткого замыкания 10 мкм
Низкие потери при переключении
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

Питание в режиме переключения
Индуктивное нагревание
Электрический сварщик

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т F =25 о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	Значение	Единица
В CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	В
В ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	В
Я C	Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =60 о C	519 400	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t р =1 мс	800	A
Р Г	Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150 о C	2450	В

Диод

Символ	Описание	Значение	Единица
В RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст	1200	В
Я F	Диод Непрерывный прямой ток ренты	400	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t р =1 мс	800	A

Модуль

Символ	Описание	Значение	Единица
Т vjmax	Максимальная температура стыка	150	о C
Т vjop	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +125	о C
Т СТГ	Диапазон температур хранения	-40 до +125	о C
В ИСО	Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min	2500	В

IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =400A,V GE =15В, Т vj =25 о C		2.90	3.35	В
В CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =400A,V GE =15В, Т vj =125 о C		3.60		В
В GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C = 16,0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C	4.5	5.5	6.5	В
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток	В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя Ток	В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C			400	нД
R Гинт	Внутренний портал сопротивления ance			0.6		ω
C ies	Входной пропускной способностью	В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В		26.0		нФ
C res	Обратная передача Пропускная способность	В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В		1.70		нФ
Q G	Сбор за вход	В GE =-15…+15V		4.2		μC
т г (нА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =400A, R G = 2,2Ω, Л S =30 nH , В GE =±15В,Т vj =25 о C		252		nS
т r	Время нарастания			63		nS
т d(off)	Выключение Время задержки			427		nS
т f	Время спада			44		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			24.7		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			16.5		mJ
т г (нА )	Время задержки включения	В CC = 600 В,I C =400A, R G = 2,2Ω, Л S =30 nH , В GE =±15В,Т vj =125 о C		258		nS
т r	Время нарастания			65		nS
т d(off)	Выключение Время задержки			465		nS
т f	Время спада			57		nS
Е нА	Включить Переключение Потеря			35.2		mJ
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			22.6		mJ
Я SC	Данные SC	т Р ≤10μs, В GE =15В, Т vj =125 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В		1600		A

Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =400A,V GE =0V,T vj =2 5о C		1.85	2.30	В
В F	Диод вперед Напряжение	Я F =400A,V GE =0V,T vj =125 о C		1.90		В
Q r	Восстановленная зарядка	В R = 600 В,I F =400A, -di/dt=6540A/μс, L S =30нГн, V GE = 15 В, Т vj =25 о C		38.9		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			401		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			13.8		mJ
Q r	Восстановленная зарядка	В R = 600 В,I F =400A, -di/dt=6300A/μс, L S =30нГн, V GE = 15 В, Т vj =125 о C		68.0		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			444		A
Е rec	Обратное восстановление Энергия			26.2		mJ

Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся			30	nH
R CC+EE	Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип		0.35		мОм
R thJC	Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)			0.051 0.114	K/W
R thCH	Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)		0.019 0.042 0.010		K/W
М	Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
G	Вес из Модуль		300		g