Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER .1200V 400А.
Особенности
- Технология NPT IGBT
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- Низкие потери при переключении
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовые области применения
- Питание в режиме переключения
- Индуктивное нагревание
- Электрический сварщик
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
И C |
Коллекторный ток @ T C=25о C@ T C=60о C |
519
400
|
А |
И См |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
800 |
А |
PД |
Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150о C |
2450 |
Ш |
Диод
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
И F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
400 |
А |
И ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
800 |
А |
МОДУЛЬ
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
T vjmax |
Максимальная температура стыка |
150 |
о C |
T vjop |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +125 |
о C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
И C=400A,V GE =15В, T vj =25о C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
И C=400A,V GE =15В, T vj =125о C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
И C=16.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25о C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
И CES |
Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25о C |
|
|
5.0 |
mA |
И ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25о C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.6 |
|
ω |
Cies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В |
|
26.0 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.70 |
|
нФ |
В Г |
Сбор за вход |
V GE =-15…+15V |
|
4.2 |
|
μC |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г = 2,2Ω, LС =30nH , V GE =±15В,Т vj =25о C
|
|
252 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
63 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
427 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
44 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
24.7 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
16.5 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г = 2,2Ω, LС =30nH , V GE =±15В,Т vj =125о C
|
|
258 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
65 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
465 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
57 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
35.2 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
22.6 |
|
mJ |
И SC |
Данные SC |
t P≤10μs, V GE =15В,
T vj =125о C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В
|
|
1600 |
|
А |
Диод Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
V F |
Диод вперед Напряжение |
И F =400A,V GE =0V,T vj =25о C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
И F =400A,V GE =0V,T vj =125о C |
|
1.90 |
|
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =400A,
-di/dt=6540A/μс, L С =30нГн, V GE = 15 В, T vj =25о C
|
|
38.9 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
401 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
13.8 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =400A,
-di/dt=6300A/μс, L С =30нГн, V GE = 15 В, T vj =125о C
|
|
68.0 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
444 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
26.2 |
|
mJ |
МОДУЛЬ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
LСЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
30 |
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.35 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде) |
|
|
0.051 0.114 |
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок) |
|
0.019 0.042 0.010 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
Н.М |
Г |
Вес из МОДУЛЬ |
|
300 |
|
г |
EN
