GD300HFU120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

320

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

600

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

1063

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

600

A

Символ

Описание

Ценности

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.40

1.85

В

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =125 о C

1.60

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =175 о C

1.60

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.5

6.3

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

51.5

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.36

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

4.50

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R G =1.5Ом, Ls=32нГ, В GE =±15В,

Т j =25 о C

405

nS

т r

Время нарастания

83

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

586

nS

т f

Время спада

129

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

34.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

19.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R G =1.5Ом, Ls=32нГ, В GE =±15В,

Т j =125 о C

461

nS

т r

Время нарастания

107

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

676

nS

т f

Время спада

214

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

48.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

26.6

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R G =1.5Ом, Ls=32нГ, В GE =±15В,

Т j =175 о C

518

nS

т r

Время нарастания

124

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

738

nS

т f

Время спада

264

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

58.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

31.7

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤7мкс, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1150

A

т Р ≤6μs, В GE =15В,

Т j =175 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1110

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 о C

1.60

2.00

В

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 25о C

1.60

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =1 75о C

1.50

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=3135A/мкс,V GE = 15 В, Ls=32нГ,T j =25 о C

19.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

140

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.92

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2516A/мкс,V GE = 15 В Ls=32нГ,T j =125 о C

33.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

159

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.35

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2204A/мкс,V GE = 15 В Ls=32нГ,T j =175 о C

46.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

171

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.7

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

21

nH

R CC+EE

Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу

1.80

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.141 0.243

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.085 0.147 0.009

K/W

М

Монографный винт:M6

3.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g