GD300HFU120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C

320

300

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

600

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

1063

Ш

Символ

Описание

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

600

А

Символ

Описание

Ценности

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C = 300 А,В GE =15В, T j =25o C

1.40

1.85

V

О C = 300 А,В GE =15В, T j =125o C

1.60

О C = 300 А,В GE =15В, T j =175o C

1.60

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =8mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

51.5

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.36

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

4.50

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C = 300A, Пруток G =1.5Ом, Ls=32нГ, V GE =±15В,

T j =25o C

405

nS

t пруток

Время нарастания

83

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

586

nS

t f

Время спада

129

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

34.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

19.3

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C = 300A, Пруток G =1.5Ом, Ls=32нГ, V GE =±15В,

T j =125o C

461

nS

t пруток

Время нарастания

107

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

676

nS

t f

Время спада

214

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

48.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

26.6

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C = 300A, Пруток G =1.5Ом, Ls=32нГ, V GE =±15В,

T j =175o C

518

nS

t пруток

Время нарастания

124

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

738

nS

t f

Время спада

264

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

58.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

31.7

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤7мкс, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

1150

А

t P ≤6μs, V GE =15В,

T j =175o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

1110

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

О F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C

1.60

2.00

V

О F = 300 А,В GE =0V,T j =125o C

1.60

О F = 300 А,В GE =0V,T j =175o C

1.50

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=3135A/мкс,V GE = 15 В, Ls=32нГ,T j =25o C

19.1

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

140

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.92

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2516A/мкс,V GE = 15 В Ls=32нГ,T j =125o C

33.7

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

159

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.35

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2204A/мкс,V GE = 15 В Ls=32нГ,T j =175o C

46.8

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

171

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.7

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

21

nH

Пруток CC+EE

Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу

1.80

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.141 0.243

K/W

Пруток thCH

Кейс -к -Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.085 0.147 0.009

K/W

М

Монографный винт:M6

3.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g