GD225HFX120C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

368

225

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

450

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

1229

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

225

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

450

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =225A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =225A,V GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =225A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =5.63 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

23.3

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.65

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

1.75

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R G =1.6Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

171

nS

т r

Время нарастания

43

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

391

nS

т f

Время спада

72

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

7.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

17.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R G =1.6Ω,V GE =±15В, Т j =125 о C

182

nS

т r

Время нарастания

43

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

484

nS

т f

Время спада

93

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

13.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

27.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =225A, R G =1.6Ω,V GE =±15В, Т j =150 о C

193

nS

т r

Время нарастания

43

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

515

nS

т f

Время спада

103

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

16.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

30.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

900

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =225A,V GE =0V,T j =25 о C

1.85

2.30

В

Я F =225A,V GE =0V,T j =1 25о C

1.90

Я F =225A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5600A/μс,В GE = 15 В, Т j =25 о C

25.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

345

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5600A/μс,В GE = 15 В, Т j =125 о C

49.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

368

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

21.6

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =225A,

-di/dt=5600A/μс,В GE = 15 В, Т j =150 о C

56.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

391

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

24.5

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.122 0.188

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT ) Корпус к радиатору (на диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.030 0.046 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g