Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 225А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
-
Максимальная температура соединения 175 ℃
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичные применения
- Инвертор для привода мотора
- Усилитель сервоуправления AC и DC
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C |
368
225
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
450 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C |
1229 |
Ш |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
225 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
450 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
О C =225A,V GE =15В, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
О C =225A,V GE =15В, T j =125o C |
|
1.95 |
|
О C =225A,V GE =15В, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =5.63mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
1.7 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В |
|
23.3 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.65 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =-15 ...+15В |
|
1.75 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =225A, Пруток G =1.6Ω,V GE =±15В, T j =25o C
|
|
171 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
391 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
72 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
7.3 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
17.5 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =225A, Пруток G =1.6Ω,V GE =±15В, T j =125o C
|
|
182 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
484 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
93 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
13.4 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
27.3 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =225A, Пруток G =1.6Ω,V GE =±15В, T j =150o C
|
|
193 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
515 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
103 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
16.1 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
30.4 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤10μs, V GE =15В,
T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
900
|
|
А
|
Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
О F =225A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
О F =225A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
О F =225A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =225A,
-di/dt=5600A/μс,В GE = 15 В, T j =25o C
|
|
25.9 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
345 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
11.8 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =225A,
-di/dt=5600A/μс,В GE = 15 В, T j =125o C
|
|
49.5 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
368 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
21.6 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =225A,
-di/dt=5600A/μс,В GE = 15 В, T j =150o C
|
|
56.4 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
391 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
24.5 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
1.10 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода) |
|
|
0.122 0.188 |
K/W |
|
Пруток thCH
|
Кейс -к -Радиатор (наIGBT ) Корпус к радиатору (на диод) Корпус к радиатору (на Модуль) |
|
0.030 0.046 0.009 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
350 |
|
g |
EN
