Краткое введение
Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1200В 200А.
Особенности
- Технология NPT IGBT
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- Низкие потери при переключении
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичные применения
- Питание в режиме переключения
- Индуктивное нагревание
- Электрический сварщик
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C =25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Коллекторный ток @ T C =25o C
@ T C =65o C
|
262
200
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
400 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =150o C |
1315 |
Ш |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
V |
О F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
200 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
400 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
150 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +125 |
o C |
T СТГ |
Температура хранения Дальность действия |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
О C =200A,В GE =15В, T j =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
О C =200A,В GE =15В, T j =125o C |
|
3.80 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =2.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
4.4 |
5.3 |
6.0 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
1.3 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц,
V GE =0В
|
|
13.0 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
0.85 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =- 15…+15В |
|
2.10 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =200A, Пруток G =4.7Ω,V GE =±15В, T j =25o C
|
|
87 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
40 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
451 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
63 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
6.8 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
11.9 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =200A, Пруток G =4.7Ω,V GE =±15В, T j = 125o C
|
|
88 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
44 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
483 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
78 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
11.4 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
13.5 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
T j =125o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
1300
|
|
А
|
Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
V F |
Диод вперед
Напряжение
|
О F =200A,В GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
О F =200A,В GE =0V,T j =125o C |
|
2.00 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15В T j =25o C
|
|
13.3 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
236 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.6 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15В T j =125o C
|
|
23.0 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
269 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
10.5 |
|
mJ |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
0.095
0.202
|
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Корпус к радиатору (п ер диод)
Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
0.135
0.288
0.046
|
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
200 |
|
g |
EN
