GD150PIY120C6SN, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

292

150

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

1111

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1600

V

Я O

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

150

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t p = 10 мс @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

Я 2t

Я 2t-значение,t p = 10 мс @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2с

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

200

100

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

200

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

833

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

50

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

100

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура соединения (инвертор, тормоз) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=150A,V GE =15В, T j =25o C

1.70

2.15

V

Я C=150A,V GE =15В, T j =125o C

1.95

Я C=150A,V GE =15В, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=6.00mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.0

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

15.5

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.44

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

1.17

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=150A, Пруток Г =1. 1Ω, В GE =±15В, T j =25o C

96

nS

t пруток

Время нарастания

30

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

255

nS

t f

Время спада

269

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

8.59

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.3

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=150A, Пруток Г =1. 1Ω, В GE =±15В, T j =125o C

117

nS

t пруток

Время нарастания

37

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

307

nS

t f

Время спада

371

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

13.2

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.8

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=150A, Пруток Г =1. 1Ω, В GE =±15В, T j =150o C

122

nS

t пруток

Время нарастания

38

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

315

nS

t f

Время спада

425

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

14.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

18.1

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.25

V

Я F =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

Я F =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE = 15 В T j =25o C

8.62

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

177

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

5.68

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE = 15 В T j =125o C

16.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

191

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

10.2

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE = 15 В T j =150o C

19.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

196

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

12.1

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я C=150A, T j =150o C

1.00

V

Я Пруток

Обратный ток

T j =150o C,V Пруток =1600В

3.0

mA

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=100A,V GE =15В, T j =25o C

1.70

2.15

V

Я C=100A,V GE =15В, T j =125o C

1.95

Я C=100A,V GE =15В, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=4.00mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

7.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

10.4

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.29

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

0.08

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=100A, Пруток Г =1.6Ω,V GE =±15В, T j =25o C

170

nS

t пруток

Время нарастания

32

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

360

nS

t f

Время спада

86

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

5.90

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.05

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=100A, Пруток Г =1.6Ω,V GE =±15В, T j =125o C

180

nS

t пруток

Время нарастания

42

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

470

nS

t f

Время спада

165

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

9.10

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

9.35

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=100A, Пруток Г =1.6Ω,V GE =±15В, T j =150o C

181

nS

t пруток

Время нарастания

43

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

480

nS

t f

Время спада

186

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

10.0

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

10.5

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

Я F =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

Я F =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15 В T j =25o C

6.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

62

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

1.67

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15 В T j =125o C

10.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

69

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

2.94

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE = 15 В T j =150o C

11.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

72

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

3.63

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

40

nH

Пруток CC+EE Пруток AA ’+CC ’

Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу

4.00 3.00

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT —инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик) Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT —тормоз )

Соединение с корпусом (на диод-брат) (смеется)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

Пруток thCH

Корпус —до —Радиатор (наIGBT —инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Корпус —до —Радиатор (наIGBT —тормоз )

Корпус-к-радиатору (на каждый дио д-тормоз) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

М

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М