GD150HFU120C8SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =85o C

238

150

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150o C

1237

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

150

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =150A,V GE =15В, T vj =25o C

2.90

3.35

V

О C =150A,V GE =15В, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =3.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.50

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =30В, f=1МГц, V GE =0В

19.2

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.60

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =150A, Пруток G =6.8Ω, Ls=35нГ, V GE =±15В,Т vj =25o C

183

nS

t пруток

Время нарастания

73.8

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

438

nS

t f

Время спада

33.0

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

12.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

5.31

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =150A, Пруток G =6.8Ω, Ls=35нГ, V GE =±15В,Т vj =125o C

185

nS

t пруток

Время нарастания

74

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

476

nS

t f

Время спада

44.5

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

15.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

7.74

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T vj =125o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

975

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

О F =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =150A,

-di/dt=2232A/мкс, Ls=35нГ, V GE = 15 В, T vj =25o C

11.9

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

113

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.02

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =150A,

-di/dt=2118A/мкс, Ls=35нГ, V GE = 15 В, T vj =125o C

22.5

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

139

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

8.58

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.101 0.257

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.028 0.071 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g