Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 150А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
-
Максимальная температура соединения 175 ℃
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичные применения
- Питание в режиме переключения
- Индуктивное нагревание
- Электрический сварщик
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =85o C |
241
150
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
300 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150o C |
1262 |
Ш |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
150 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
300 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T vjmax |
Максимальная температура стыка |
150 |
o C |
T vjop |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +125 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
О C =150A,V GE =15В, T vj =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
О C =150A,V GE =15В, T vj =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =3.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C |
5.0 |
6.1 |
7.0 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
1.50 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =30В, f=1МГц, V GE =0В |
|
19.2 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.60 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =-15…+15V |
|
1.83 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =150A, Пруток G =6.8Ом, Ls=48нГ, V GE =±15В,Т vj =25o C
|
|
74 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
92 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
401 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
31 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
19.0 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
3.09 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =150A, Пруток G =6.8Ом, Ls=48нГ, V GE =±15В,Т vj =125o C
|
|
61 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
95 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
444 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
47 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
22.5 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
3.99 |
|
mJ |
О SC |
Данные SC |
t P ≤10μs, V GE =15В,
T vj =125o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В
|
|
975 |
|
А |
Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
V F |
Диод вперед Напряжение |
О F =150A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
О F =150A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =150A,
-di/dt=1480A/μс,V GE = 15 В, Лс =48nH ,T vj =25o C
|
|
13.7 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
91 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
4.01 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =150A,
-di/dt=1560A/μс,V GE = 15 В, Лс =48nH ,T vj =125o C
|
|
22.1 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
111 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.65 |
|
mJ |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
30 |
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.35 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде) |
|
|
0.099 0.259 |
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок) |
|
0.028 0.072 0.010 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
300 |
|
g |
EN
