GD150HFU120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C@ T C=85o C

241

150

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150o C

1262

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

150

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=150A,V GE =15В, T vj =25o C

2.90

3.35

V

Я C=150A,V GE =15В, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=3.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.50

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =30В, f=1МГц, V GE =0В

19.2

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.60

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=150A, Пруток Г =6.8Ом, Ls=48нГ, V GE =±15В,Т vj =25o C

74

nS

t пруток

Время нарастания

92

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

401

nS

t f

Время спада

31

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

19.0

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.09

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=150A, Пруток Г =6.8Ом, Ls=48нГ, V GE =±15В,Т vj =125o C

61

nS

t пруток

Время нарастания

95

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

444

nS

t f

Время спада

47

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

22.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.99

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =125o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

975

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я F =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =150A,

-di/dt=1480A/μс,V GE = 15 В, Лс =48nH ,T vj =25o C

13.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

91

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

4.01

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =150A,

-di/dt=1560A/μс,V GE = 15 В, Лс =48nH ,T vj =125o C

22.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

111

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

6.65

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.35

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.099 0.259

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.028 0.072 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г