GD150HFU120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C = 85 о C

241

150

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150 о C

1262

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

150

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =150A,V GE =15В, Т vj =25 о C

2.90

3.35

В

Я C =150A,V GE =15В, Т vj =125 о C

3.60

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =3.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.0

6.1

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.50

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =30В, f=1МГц, В GE =0В

19.2

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.60

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

1.83

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =150A, R G =6.8Ом, Ls=48нГ, В GE =±15В,Т vj =25 о C

74

nS

т r

Время нарастания

92

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

401

nS

т к

Время спада

31

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

19.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.09

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =150A, R G =6.8Ом, Ls=48нГ, В GE =±15В,Т vj =125 о C

61

nS

т r

Время нарастания

95

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

444

nS

т к

Время спада

47

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

22.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.99

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =125 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

975

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =150A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К =150A,V GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =150A,

-di/dt=1480A/μс,V GE = 15 В, Лс =48 nH ,Т vj =25 о C

13.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

91

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.01

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =150A,

-di/dt=1560A/μс,V GE = 15 В, Лс =48 nH ,Т vj =125 о C

22.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

111

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.65

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.099 0.259

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.028 0.072 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g