Модуль IGBT, GD950HTA75P6H Starpower

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

950

A

Я C

Коллекторный ток @ T К =100 о C

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1900

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =75 о C Т j =175 о C

877

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

750

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

950

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1900

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

За 10 секунд в течение периода 30с, возникновение максимум 3000 раз за время жизни

-40 до +150 +150 до +175

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.10

1.35

В

Я C =450A,V GE =15В, Т j =150 о C

1.15

Я C =450A,V GE =15В, Т j =175 о C

1.15

Я C =950А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.40

Я C =950А,В GE =15В, Т j =175 о C

1.65

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.9 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.5

6.5

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =50В, f=100kHz, В GE =0В

72.3

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.51

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.32

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ =400В, I C =450A, В GE =-15…+15V

4.77

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω,

В GE =-8V/+15V, Л С =24нГн,

Т j =25 о C

315

nS

т r

Время нарастания

61

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

729

nS

т к

Время спада

70

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

12.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

18.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω,

В GE =-8V/+15V, Л С =24нГн,

Т j =150 о C

338

nS

т r

Время нарастания

74

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

826

nS

т к

Время спада

151

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

20.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =400В, I C =450A, R G = 2,4Ω,

В GE =-8V/+15V, Л С =24нГн,

Т j =175 о C

343

nS

т r

Время нарастания

77

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

846

nS

т к

Время спада

171

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

25.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

27.3

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤6μs, В GE =15В,

Т j =25 о C,V CC =400В, В СМК ≤750В

4500

A

т P ≤3μс, В GE =15В,

Т j =175 о C,V CC =400В, В СМК ≤750В

3300

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =450A,V GE =0V,T j =25 о C

1.40

1.65

В

Я К =450A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.35

Я К =450A,V GE =0V,T j =1 75о C

1.30

Я К =950А,В GE =0V,T j =25 о C

1.75

Я К =950А,В GE =0V,T j =1 75о C

1.75

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=7760А/μс,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т j =25 о C

10.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

287

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.83

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=6300А/μс,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т j =150 о C

25.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

341

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.32

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =400В, I К =450A,

-di/dt=5990А/μс,V GE =-8В Л С =24 nH ,Т j =175 о C

30.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

354

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

10.6

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.75

мОм

△ p

△ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т К =75 о C

64

мбар

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

Т основание < 40 о C

Т основание 40о C

(относительное давление)

2.5 2.0

штанга

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т К =75 о C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g