Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 1200А.
Особенности
-
Низкий VCE (спутниковая) Опоры IGBT тЕХНОЛОГИЯ
- возможность короткого замыкания 10 мкм
-
VCE(sat) с положительный температура коэффициент
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Базовая пластина из AlSiC для высокомощной циклической способности
- АльН-субстрат для низкой теплостойкости
Типичный Области применения
- Конверторы высокой мощности
- Водители
- Двигатели инверторов переменного тока
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C =25℃ если только иначе отмечено
Символ |
Описание |
GD1200SGT120A3S |
Единицы |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Ток коллектора @ T C =25℃
@ T C =80℃
|
2100
1200
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1ms |
2400 |
А |
О F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
1200 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
2400 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175℃ |
7.61 |
кВт |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
℃ |
T СТГ |
Температура хранения Дальность действия |
-40 до +125 |
℃ |
V ISO |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
2500 |
V |
Монтаж Крутящий момент |
Свинцовый конец сигнального устройства:M4 |
1.8 до 2.1 |
|
Свинцовый конец питания:M8 |
8,0 до 10 |
Н.М |
Монографный винт:M6 |
4,25 - 5,75 |
|
Электрический Характеристики из IGBT T C =25℃ если только иначе отмечено
Не характеризуется
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
V (БР )CES |
Сборщик-выпускник
Предельное напряжение
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
нД |
О характеристиках
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =48mA ,V СЕ =V GE , T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
О C = 1200А,В GE =15В, T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
О C = 1200А,В GE =15В, T j =125℃ |
|
2.00 |
|
Смена характеристик
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =1200A,
Пруток Гон =1,8Ω, Пруток Гофф = 0,62Ω, V GE =±15В,Т j =25℃
|
|
550 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
230 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
830 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
160 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
/ |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
/ |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C = 1200А,
Пруток Гон = 1,8Ω,R Гофф = 0,62Ω, V GE =±15В,Т j =125℃
|
|
650 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
240 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
970 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
190 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
246 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
189 |
|
mJ |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц,
V GE =0В
|
|
85.5 |
|
нФ |
C - Да. |
Выходной объем |
|
4.48 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
3.87 |
|
нФ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤ 10 мкс,В GE =15 В,
T j =125℃,
V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
4800
|
|
А
|
Пруток Гинт |
Внутренний затвор
Сопротивление
|
|
|
1.9 |
|
ω |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
15 |
|
nH |
|
Пруток CC+EE
|
Модуль свинцовый
Сопротивление,
Терминал на чип
|
|
|
0.10
|
|
мОм
|
Электрический Характеристики из Диод T C =25℃ если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
V F |
Диод вперед
Напряжение
|
О F = 1200A |
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.05 |
V |
T j =125℃ |
|
1.65 |
|
Q пруток |
Восстановлено
Заряд
|
О F = 1200А,
V Пруток =600 В,
Пруток Гон = 0,6Ω,
V GE = 15 В
|
T j =25℃ |
|
112 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
224 |
|
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
T j =25℃ |
|
850 |
|
А |
T j =125℃ |
|
1070 |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
T j =25℃ |
|
48.0 |
|
mJ |
T j =125℃ |
|
96.0 |
|
Тепловой характеристик iCS
Символ |
Параметры |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
Пруток θ Д.К. |
Соединение с делом (на IGB) T) |
|
19.7 |
К/кВт |
Пруток θ Д.К. |
Соединение с корпусом (на D) йода) |
|
31.3 |
К/кВт |
Пруток θ CS |
Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь) |
8 |
|
К/кВт |
Вес |
Вес Модуль |
1050 |
|
g |
EN
