GD1200SGT120A3S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Описание

GD1200SGT120A3S

Единицы

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Ток коллектора @ Т C =25 ℃

@ T C =80 ℃

2100

1200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 mS

2400

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

1200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

2400

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

7.61

кВт

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Монтаж Крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

Т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 ℃

400

нД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =48 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

В

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 1200А,В GE =15В, Т j =25 ℃

1.70

2.15

В

Я C = 1200А,В GE =15В, Т j =125 ℃

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =1200A,

R Гон =1,8Ω, R Гофф = 0,62Ω, В GE =±15В,Т j =25 ℃

550

nS

т r

Время нарастания

230

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

830

nS

т f

Время спада

160

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

/

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

/

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 1200А,

R Гон = 1,8Ω,R Гофф = 0,62Ω, В GE =±15В,Т j =125 ℃

650

nS

т r

Время нарастания

240

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

970

nS

т f

Время спада

190

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

246

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

189

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

85.5

нФ

C - Да.

Выходной объем

4.48

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

3.87

нФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

Т j =125 °C,

В CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

4800

A

R Гинт

Внутренний затвор

Сопротивление

1.9

ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

R CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.10

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 1200A

Т j =25 ℃

1.65

2.05

В

Т j =125 ℃

1.65

Q r

Восстановлено

Заряд

Я F = 1200А,

В R =600 В,

R Гон = 0,6Ω,

В GE = 15 В

Т j =25 ℃

112

μC

Т j =125 ℃

224

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

Т j =25 ℃

850

A

Т j =125 ℃

1070

Е rec

Обратное восстановление Энергия

Т j =25 ℃

48.0

mJ

Т j =125 ℃

96.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

R θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

19.7

К/кВт

R θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

31.3

К/кВт

R θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

8

К/кВт

Вес

Вес Модуль

1050

g