GD1200SGT120A3S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

GD1200SGT120A3S

Единицы

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Ток коллектора @ T C=25℃

@ T C=80℃

2100

1200

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1ms

2400

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

1200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

2400

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175℃

7.61

кВт

T jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

℃

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Установка Крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

T j =25℃

1200

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25℃

400

нД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=48mA ,V СЕ =V GE , T j =25℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C= 1200А,В GE =15В, T j =25℃

1.70

2.15

V

Я C= 1200А,В GE =15В, T j =125℃

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=1200A,

Пруток Гон =1,8Ω, Пруток Гофф = 0,62Ω, V GE =±15В,Т j =25℃

550

nS

t пруток

Время нарастания

230

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

830

nS

t f

Время спада

160

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

/

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

/

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C= 1200А,

Пруток Гон = 1,8Ω,R Гофф = 0,62Ω, V GE =±15В,Т j =125℃

650

nS

t пруток

Время нарастания

240

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

970

nS

t f

Время спада

190

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

246

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

189

mJ

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

85.5

нФ

C- Да.

Выходной объем

4.48

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

3.87

нФ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15 В,

T j =125℃,

V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

4800

A

Пруток Гинт

Внутренний затвор

Сопротивление

1.9

ω

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

Пруток CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.10

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 1200A

T j =25℃

1.65

2.05

V

T j =125℃

1.65

В. пруток

Восстановлено

Зарядка

Я F = 1200А,

V Пруток =600 В,

Пруток Гон = 0,6Ω,

V GE = 15 В

T j =25℃

112

μC

T j =125℃

224

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

T j =25℃

850

A

T j =125℃

1070

Erec

Обратное восстановление Энергия

T j =25℃

48.0

mJ

T j =125℃

96.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

Пруток θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

19.7

К/кВт

Пруток θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

31.3

К/кВт

Пруток θ CS

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

8

К/кВт

Вес

Вес МОДУЛЬ

1050

г