GD100HHU120C6SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =75 о C

146

100

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

200

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150 о C

771

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

150

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =100A,V GE =15В, Т vj =25 о C

3.00

3.45

В

Я C =100A,V GE =15В, Т vj =125 о C

3.80

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4,0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

4.5

5.5

6.5

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

6.50

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.42

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

1.10

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE =±15В, Лс =48 nH ,Т vj =25 о C

38

nS

т r

Время нарастания

50

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

330

nS

т к

Время спада

27

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

8.92

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.06

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE =±15В, Лс =48 nH ,Т vj =125 о C

37

nS

т r

Время нарастания

50

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

362

nS

т к

Время спада

43

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

10.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.69

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =125 о C ,В CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

650

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =100A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К =100A,V GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE = 15 В Лс =48 nH ,Т vj =25 о C

11.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

101

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.08

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE = 15 В Лс =48 nH ,Т vj =125 о C

19.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

120

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

7.47

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т vj =100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

21

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

2.60

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.162 0.401

K/W

R thCH

Кейс -до -Раковина (наIGBT )

Кассе-от-Упаковки (на диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.051 0.125 0.009

K/W

М

Крутящий момент установки, Шуруп M6

3.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g