GD100HHU120C6SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =75o C

146

100

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

200

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =150o C

771

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

200

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

150

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =100A,V GE =15В, T vj =25o C

3.00

3.45

V

О C =100A,V GE =15В, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =4.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

6.50

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.42

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =100A, Пруток G =9.1Ω,V GE =±15В, Лс =48nH ,T vj =25o C

38

nS

t пруток

Время нарастания

50

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

330

nS

t f

Время спада

27

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

8.92

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.06

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =100A, Пруток G =9.1Ω,V GE =±15В, Лс =48nH ,T vj =125o C

37

nS

t пруток

Время нарастания

50

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

362

nS

t f

Время спада

43

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

10.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.69

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T vj =125o C ,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

650

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

О F =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE = 15 В Лс =48nH ,T vj =25o C

11.5

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

101

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

4.08

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE = 15 В Лс =48nH ,T vj =125o C

19.0

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

120

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

7.47

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T vj =100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

21

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

2.60

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.162 0.401

K/W

Пруток thCH

Кейс -к -Раковина (наIGBT )

Кассе-от-Упаковки (на диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.051 0.125 0.009

K/W

М

Крутящий момент установки, Шуруп M6

3.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g