GD100HFQ120C1SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

162

100

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

200

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

595

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

200

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=100A,V GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я C=100A,V GE =15В, T vj =125o C

2.25

Я C=100A,V GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=4.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

7.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

10.8

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.30

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

0.84

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=100A, Пруток Г =5.1Ω, V GE =±15В, LС =45nH ,T vj =25o C

59

nS

t пруток

Время нарастания

38

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

209

nS

t f

Время спада

71

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

11.2

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.15

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=100A, Пруток Г =5.1Ω, V GE =±15В, LС =45nH ,T vj =125o C

68

nS

t пруток

Время нарастания

44

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

243

nS

t f

Время спада

104

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

14.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

4.36

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=100A, Пруток Г =5.1Ω, V GE =±15В, LС =45nH ,T vj =150o C

71

nS

t пруток

Время нарастания

46

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

251

nS

t f

Время спада

105

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

15.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

4.63

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я F =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Я F =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =100A,

-di/dt=961A/μс, V GE = 15 В LС =45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

46.4

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

2.25

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =100A,

-di/dt=871A/μс, V GE = 15 В LС =45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

54.5

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

5.08

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =100A,

-di/dt=853A/μс, V GE = 15 В LС =45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

58.9

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

6.67

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.252 0.446

K/W

Пруток thCH

Корпус —до —Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.157 0.277 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

150

г