GD100HFQ120C1SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

162

100

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

200

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

595

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =100A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.85

2.30

В

Я C =100A,V GE =15В, Т vj =125 о C

2.25

Я C =100A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4,0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

7.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

10.8

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.30

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.84

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R G =5.1Ω, В GE =±15В, Л С =45 nH ,Т vj =25 о C

59

nS

т r

Время нарастания

38

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

209

nS

т к

Время спада

71

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

11.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.15

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R G =5.1Ω, В GE =±15В, Л С =45 nH ,Т vj =125 о C

68

nS

т r

Время нарастания

44

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

243

nS

т к

Время спада

104

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

14.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

4.36

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R G =5.1Ω, В GE =±15В, Л С =45 nH ,Т vj =150 о C

71

nS

т r

Время нарастания

46

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

251

nS

т к

Время спада

105

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

15.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

4.63

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

400

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =100A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К =100A,V GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Я К =100A,V GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =100A,

-di/dt=961A/μс, V GE = 15 В Л С =45 nH ,Т vj =25 о C

7.92

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

46.4

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

2.25

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =100A,

-di/dt=871A/μс, V GE = 15 В Л С =45 nH ,Т vj =125 о C

15.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

54.5

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

5.08

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =100A,

-di/dt=853A/μс, V GE = 15 В Л С =45 nH ,Т vj =150 о C

18.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

58.9

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.67

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.252 0.446

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT )Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.157 0.277 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

150

g