Краткое описание
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER .1700V 100А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
-
Максимальная температура соединения 175 ℃
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовые области применения
- Инвертор для привода мотора
- Усилитель сервоуправления AC и DC
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1700 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
Я C |
Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C |
196
100
|
A |
Я См |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
200 |
A |
PD |
Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C |
815 |
Ш |
Диод
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1700 |
V |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
100 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
200 |
A |
МОДУЛЬ
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
T vjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
o C |
T vjop |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту |
4000 |
V |
IGBT Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
Я C=100A,V GE =15В, T vj =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
Я C=100A,V GE =15В, T vj =125o C |
|
2.25 |
|
Я C=100A,V GE =15В, T vj =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C=4.00mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Я CES |
Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
7.5 |
|
ω |
Cies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В |
|
12.0 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.29 |
|
нФ |
В. Г |
Сбор за вход |
V GE =-15 ...+15В |
|
0.94 |
|
μC |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C=100A, Пруток Г =1.0Ω,V GE =±15В, Лс =52nH ,T vj =25o C
|
|
196 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
44 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
298 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
367 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
26.4 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
14.7 |
|
mJ |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C=100A, Пруток Г =1.0Ω,V GE =±15В, Лс =52nH ,T vj =125o C
|
|
217 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
53 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
361 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
516 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
36.0 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
21.0 |
|
mJ |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C=100A, Пруток Г =1.0Ω,V GE =±15В, Лс =52nH ,T vj =150o C
|
|
223 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
56 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
374 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
551 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
39.1 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
22.4 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
t P≤10μs, V GE =15В,
T vj =150o C,V CC =1000V,
V СМК ≤1700V
|
|
400
|
|
A
|
Диод Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
Я F =100A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Я F =100A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.95 |
|
Я F =100A,V GE =0V,T vj =150o C |
|
1.90 |
|
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =100A,
-di/dt=1332A/μs,V GE = 15 В Лс =52nH ,T vj =25o C
|
|
26.8 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
78 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
14.4 |
|
mJ |
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =100A,
-di/dt=1091A/μs,V GE = 15 В Лс =52nH ,T vj =125o C
|
|
42.3 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
86 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
23.7 |
|
mJ |
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =900V,I F =100A,
-di/дт=1060A/μс,V GE = 15 В Лс =52nH ,T vj =150o C
|
|
48.2 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
89 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
27.4 |
|
mJ |
МОДУЛЬ Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
LСЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
1.10 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде) |
|
|
0.184 0.274 |
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок) |
|
0.060 0.090 0.009 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
Н.М |
Г |
Вес из МОДУЛЬ |
|
350 |
|
г |
EN
