Диодный модуль, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

符号

Символ

参数名称

Параметры

тест условия

Условия испытаний

число

Значение

单位

Единица

В RRM

重复 пиксовое электрическое давление

Повторяющееся напряжение

Т C = 25 °C

4500

В

Я К

прямой потоковой

Продолжающийся ток

Постоянный ток

1200

A

Я ФРМ

прямой переходный пик

Пиковый переходный ток

т P = 1мс

2400

A

Я ФСМ

浪涌电流 (Восходящий электрический поток)

Перегонный ток

В R =0V, т P = 10 мс, Т vj = 25 °C

TBD

A

Я 2т

Я 2т 值

Я 2т

В R =0V, т P = 10 мс, Т vj = 25 °C

530

кА 2с

В изолированный

绝缘电压 (模块 )

Изоляция напряжение - на модуль

短接 все узлы, узлы и основы между ними (Общие терминалы для база блюдо), Переменный ток RMS1 минимум 50 Гц, Т C = 25 °C

10200

В

Q ПД

局部放电电荷 (пограничный отдел) (模块 )

Частично разряд - на модуль

IEC1287. В 1= 6900В, В 2= 5100В, 50Гц

РМС ,Т C = 25 °C

10

пК

符号

Символ

参数名称

Параметры

条件

Условия испытаний

最小值 Мин.

典型值 Тип.

максимальное значение

Макс.

单位

Единица

Я RRM

重复 обратный электрический поток

Повторяющийся обратный

ток

В RM = В RRM

1

mA

В RM = В RRM , Т C =125 °C

50

mA

В К

прямое электрическое давление

Напряжение вперед

Я К = 1200A

2.70

В

Я К = 1200А, Т vj = 125 °C

3.10

В

Q рР

возвращение к электричеству

Обратный восстановление

заряд

В CC = 2800В, Я К =1200A, - d я К /dt = 3800A/μs,

R G(ON) =1.5Ω ,

C GE = 220nF,

Л С = 150nH,

(Т vj = 125 °C).

IGBT:

TIM1200ASM45-PSA011

Т vj = 25 °C

1220

μC

Т vj = 125 °C

1750

μC

Я рР

возвращение к электрическому потоку

Обратный восстановление

ток

Т vj = 25 °C

1320

A

Т vj = 125 °C

1420

A

Е rec

возвратные потери восстановления

Обратный восстановление

энергия

Т vj = 25 °C

2.60

J

Т vj = 125 °C

3.90

J