GD1000HFA120C6S_B39, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О CN

Использование коллектора Cu ренты

1000

А

О C

Коллекторный ток @ T F =75o C

765

А

О CRM

Повторяющийся Пик Коллектор Текущий tp ограниченный от T vjop

2000

А

P D

Максимальное распределение мощности ация @ T F =75o C ,T j =175o C

1515

Ш

Символ

Описание

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

О ФН

Использование коллектора Cu ренты

1000

А

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

765

А

О ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой Текущий tp ограниченный от T vjop

2000

А

О ФСМ

Напряжение вперед t p = 10 мс @ T vj =25o C @ T vj =150o C

4100

3000

А

О 2t

О 2t- значение ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

84000

45000

А 2s

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =1000A,V GE =15В, T vj =25o C

1.45

1.90

V

О C =1000A,V GE =15В, T vj =125o C

1.65

О C =1000A,V GE =15В, T vj =175o C

1.80

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =24.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

51.5

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.36

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

13.6

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =900A,

Пруток G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =25o C

330

nS

t пруток

Время нарастания

140

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

842

nS

t f

Время спада

84

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

144

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

87.8

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =900A,

Пруток G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =125o C

373

nS

t пруток

Время нарастания

155

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

915

nS

t f

Время спада

135

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

186

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

104

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =900A,

Пруток G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =175o C

390

nS

t пруток

Время нарастания

172

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

950

nS

t f

Время спада

162

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

209

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

114

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤8μs,V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V,

V СМК ≤1200В

3200

А

t P ≤6μs,V GE =15В,

T vj =175o C,V CC =800V,

V СМК ≤1200В

3000

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

О F =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

О F =1000A,V GE =0V,T vj =125o C

1.70

О F =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.60

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, Л S =40nH ,T vj =25o C

91.0

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

441

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.3

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, Л S =40nH ,

T vj =125o C

141

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

493

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

42.5

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, Л S =40nH ,

T vj =175o C

174

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

536

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

52.4

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC ’+EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

Пруток фНП

Переходный пункт -к -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △V/ △t=10,0 дм 3/мин ,T F =75o C

0.066 0.092

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

400

g

P

Максимальное давление в охлаждающем контуре

3

пруток

∆p

Падение давления в системе охлаждения слюнка

∆V/∆t=10.0dm 3/мин;T F =25o C;Охлаждающая Жидкость=50% Вода/50% Этиленгликоль

47

мбар