GD1000HFA120C6S_B39, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я C

Коллекторный ток @ T К =75 о C

765

A

Я CRM

Повторяющийся Пик Коллектор Ток tp ограниченный от Т vjop

2000

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =75 о C ,Т j =175 о C

1515

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

765

A

Я ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой Ток tp ограниченный от Т vjop

2000

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t p = 10 мс @ T vj = 25о C @ T vj =150 о C

4100

3000

A

Я 2т

Я 2t- значение ,т p =10 mS @ Т vj =25 о C @ T vj =150 о C

84000

45000

A 2с

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =1000A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.45

1.90

В

Я C =1000A,V GE =15В, Т vj =125 о C

1.65

Я C =1000A,V GE =15В, Т vj =175 о C

1.80

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.5

6.3

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

51.5

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.36

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

13.6

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A,

R G =0.51Ω, L С =40nH, В GE =-8V/+15V,

Т vj =25 о C

330

nS

т r

Время нарастания

140

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

842

nS

т к

Время спада

84

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

144

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

87.8

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A,

R G =0.51Ω, L С =40nH, В GE =-8V/+15V,

Т vj =125 о C

373

nS

т r

Время нарастания

155

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

915

nS

т к

Время спада

135

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

186

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

104

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A,

R G =0.51Ω, L С =40nH, В GE =-8V/+15V,

Т vj =175 о C

390

nS

т r

Время нарастания

172

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

950

nS

т к

Время спада

162

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

209

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

114

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤8μs,V GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V,

В СМК ≤ 1200В

3200

A

т P ≤6μs,V GE =15В,

Т vj =175 о C,V CC =800V,

В СМК ≤ 1200В

3000

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =1000A,V GE =0V,T vj =25 о C

1.60

2.05

В

Я К =1000A,V GE =0V,T vj =125 о C

1.70

Я К =1000A,V GE =0V,T vj =175 о C

1.60

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, Л С =40 nH ,Т vj =25 о C

91.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

441

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.3

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, Л С =40 nH ,

Т vj =125 о C

141

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

493

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

42.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, Л С =40 nH ,

Т vj =175 о C

174

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

536

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

52.4

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC + EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т К =75 о C

0.066 0.092

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

400

g

P

Максимальное давление в охлаждающем контуре

3

штанга

∆p

Падение давления в системе охлаждения слюнка

∆V/∆t=10.0dm 3/мин;T К =25 о C;Охлаждающая Жидкость=50% Вода/50% Этиленгликоль

47

мбар