GD150PFX170C6SG, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C = 95 о C

232

150

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

300

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

828

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

150

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

300

A

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1800

В

Я О

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

150

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t p = 10 мс @ T j = 25о C @ T j =150 о C

1600

1400

A

Я 2т

Я 2t-значение,t p = 10 мс @ T j =25 о C @ T j =150 о C

13000

9800

A 2с

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура соединения (инвертор) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =150A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =150A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =150A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =6.00 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

4.3

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

18.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.44

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

1.41

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Л С =46 nH ,Т j =25 о C

292

nS

т r

Время нарастания

55

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

458

nS

т к

Время спада

392

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

33.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

26.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Л С =46 nH ,Т j =125 о C

342

nS

т r

Время нарастания

67

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

520

nS

т к

Время спада

568

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

50.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

35.7

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Л С =46 nH ,Т j =150 о C

352

nS

т r

Время нарастания

68

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

535

nS

т к

Время спада

589

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

53.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

36.3

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =1000V, В СМК ≤1700V

600

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =150A,V GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я К =150A,V GE =0V,T j =1 25о C

1.90

Я К =150A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =150A,

-di/dt=2340A/μс,V GE = 15 В Л С =46 nH ,Т j =25 о C

21.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

183

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

20.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =150A,

-di/dt=2000A/μс,V GE = 15 В Л С =46 nH ,Т j =125 о C

36.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

196

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

33.9

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =150A,

-di/dt=1830A/μс,V GE = 15 В Л С =46 nH ,Т j =150 о C

41.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

199

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

36.3

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я C =150A, Т j =150 о C

0.90

В

Я R

Обратный ток

Т j =150 о C,V R =1800V

3.0

mA

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT -инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик)

0.181 0.300 0.289

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT -инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.092 0.152 0.146 0.009

K/W

М

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g