При высокочастотном преобразовании мощности потери в цепи управления затвором представляют собой один из наиболее значительных и зачастую недооцениваемых источников неэффективности в любой схеме на основе MOSFET. По мере того как частоты переключения возрастают до сотен килогерц или даже мегагерц ...
Показать больше
Профиль полевого барьера является одной из наиболее значимых структурных переменных при проектировании передовых пластин IGBT. По мере того как силовая электроника продолжает стремиться к более высоким частотам переключения и более жестким тепловым ограничениям, способ, которым инженеры формируют полевой барьер...
Показать больше
В силовой электронике высокой мощности модуль IGBT играет центральную роль в точном управлении большими токами и высокими напряжениями. По мере роста частот переключения и плотности мощности даже незначительные значения паразитной индуктивности внутри модуля IGBT...
Показать больше
Появление модуля на основе карбида кремния нового поколения принципиально изменило подход инженеров-электронщиков к анализу динамических потерь. В отличие от традиционных приборов на кремниевой основе модуль на основе карбида кремния работает на более высоких частотах переключения и повышенных температурах перехода...
Показать больше
Когда MOSFET перегревается, последствия выходят далеко за пределы просто тёплого радиатора. Перегрев является одной из главных причин преждевременного выхода из строя силовой электроники, а в промышленных или высокочастотных коммутационных приложениях единичное тепловое событие может вызвать...
Показать больше
В силовой электронике предел производительности любой коммутирующей схемы зачастую определяется не номинальным напряжением или током транзистора, а более тонким и часто недостаточно понимаемым параметром — зарядом затвора. Каждый разработчик, пытавшийся повысить частоту переключения MOSFET...
Показать больше
В современной силовой электронике коммутационные потери представляют одну из наиболее стойких проблем, с которыми сталкиваются разработчики схем, инженеры-инверторщики и разработчики силовых модулей. В основе этой проблемы лежит явление, известное как заряд обратного восстановления...
Показать больше
Слой полевого ограничителя является одним из наиболее значимых структурных элементов в современном проектировании силовых полупроводниковых приборов, и понимание его профиля имеет ключевое значение для повышения эксплуатационных характеристик любой пластины IGBT, предназначенной для применения в высоковольтных и высокотоковых системах...
Показать больше
Заряд затвора — один из наиболее критичных, но при этом часто неправильно понимаемых параметров при выборе MOSFET для применений в силовой электронике. Хотя номинальное напряжение и сопротивление в открытом состоянии обычно доминируют в начальных обсуждениях выбора компонентов, заряд затвора…
Показать больше
Схемы с полумостовой топологией являются краеугольным камнем современной силовой электроники и обеспечивают эффективное преобразование энергии в таких областях применения, как приводы двигателей и инверторы для возобновляемых источников энергии. В рамках этих схем взаимодействие между изолирующими...
Показать больше
Эффективность преобразования энергии стала определяющим показателем для блоков питания серверов, поскольку дата-центры по всему миру сталкиваются с растущими затратами на электроэнергию и проблемами теплового управления. В центре этой революции в области эффективности находятся MOSFET-транзисторы с суперпереходом...
Показать больше
Пластины быстродействующих диодов восстановления представляют собой важнейший технологический рубеж в области силовой электроники, где оптимизация мягкости и времени восстановления напрямую влияет на эффективность схемы, снижение электромагнитных помех и общую надёжность системы...
Показать больше
EN