Alle categorieën
Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1200V

GD600SGY120C2S,IGBT-module,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD600SGY120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 600A.

Kenmerken

  • Lage V CE (sat ) Gracht IGBT technologie
  • 10 μs kortcircuitcapaciteit - De
  • V CE (sat ) met positief temperatuur coëfficiënt
  • Maximum verbindingstemperatuur 175o C
  • Lage inductantie geval
  • Snel en zacht omgekeerd herstel anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen onderstelplaat hPS-DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • Omvormer voor motor d aandrijving
  • AC en DC servo aandrijving versterker
  • Ononderbroken stroom voorziening

Absoluut Maximum Beoordelingen T C=25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C

@ T C=100o C

1000

600

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1200

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

3409

W

Diode

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V

IF

Diode continue voorwaartscur huur

600

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1200

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

IGBT Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC=600A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=600A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=600A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC= 15,0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

0.7

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

62.1

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.74

nF

V G

Gate-lading

V GE =- 15...+15V

4.66

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

257

n

t r

Opstijgtijd

96

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

628

n

t f

Ouderdom

103

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

37.5

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

51.5

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

V GE =±15V, T j =125o C

268

n

t r

Opstijgtijd

107

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

659

n

t f

Ouderdom

144

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

53.5

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

77.3

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

V GE =±15V, T j =150o C

278

n

t r

Opstijgtijd

118

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

680

n

t f

Ouderdom

155

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

58.9

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

82.4

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diode Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =600A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =600A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, T j =25o C

61.4

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

280

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

20.9

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, T j = 125o C

114

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

415

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

43.1

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, T j = 150o C

128

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

443

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

50.0

mJ

Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module leidingweerstand nce, terminal naar chip

0.18

R thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.044

0.078

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.016

0.028

0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M4 Terminalverbinding Koppel, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g

Overzicht

image(6b521639e0).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000