GD100HFX170C1S,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

200

A

PD

Maximum VOEDING Dissipatie @ T vj =175o C

666

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1700

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

100

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

200

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

7.5

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.29

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

0.94

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =25o C

272

n

t r

Opstijgtijd

55

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

369

n

t f

Ouderdom

389

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

28.2

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

16.4

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =125o C

296

n

t r

Opstijgtijd

66

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

448

n

t f

Ouderdom

576

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

40.1

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

24.1

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =150o C

302

n

t r

Opstijgtijd

69

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

463

n

t f

Ouderdom

607

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

43.9

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

25.7

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

400

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

T vj =25o C

23.5

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

85

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

11.5

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

T vj =125o C

36.6

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

88

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

18.1

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

T vj =150o C

46.2

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

91

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

24.6

mJ

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

30

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.65

mΩ

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.225 0.391

K/W

R thCH

Geval -naar -Verwarmingssink (perIGBT )De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.158 0.274 0.050

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

150

g