GD75PFX170C6SG,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

139

75

Een

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

150

Een

P D

Maximale vermogensafvoer @ T vj = 175 o C

559

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1700

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

75

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

150

Een

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

2000

V

I O

Gemiddelde uitvoerstroom 5 0Hz/60Hz, sinusoïde

75

Een

I FSM

Surge Vooruitstroom t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj =150 o C

1440

1206

Een

I 2t

I 2t-waarde,t p =10ms @ T vj =25 o C @ T vj =150 o C

10368

7272

Een 2s

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale junctiontemperatuur (inverter) Maximale junctiontemperatuur (rectifier)

175

150

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =75A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

I C =75A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C =75A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

8.5

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.22

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =75A, R G =6,8Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,T vj =25 o C

236

n

t r

Opstijgtijd

42

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

356

n

t f

Ouderdom

363

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

17.3

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

11.7

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =75A, R G =6,8Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,T vj =125 o C

252

n

t r

Opstijgtijd

48

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

420

n

t f

Ouderdom

485

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

27.1

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

16.6

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =75A, R G =6,8Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,T vj =150 o C

275

n

t r

Opstijgtijd

50

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

432

n

t f

Ouderdom

524

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

27.9

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

17.7

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150 o C ,V CC =1000V

,

V CEM ≤ 1700V

300

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =75A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.80

2.25

V

I F =75A,V GE =0V,T vj =12 5o C

1.90

I F =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,T vj =25 o C

10.3

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

84

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

7.44

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V L S =46 nH ,T vj =125 o C

20.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

87

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

16.1

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,T vj =150 o C

22.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

97

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

19.2

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I C =75A, T vj =150 o C

0.95

V

I R

Terugstroom

T vj =150 o C ,V R =2000V

3.0

mA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R thJC

Junctie -tot -Geval (perIGBT -inverter ) Aansluiting-tot-Geval (per DIODE-inverter ter) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-re ctifier)

0.268 0.481 0.289

K/W

R thCH

Geval -tot -Verwarmingssink (perIGBT -inverter )Case-naar-Koelplaat (per Diode-i nverter) Case-naar-Koelplaat (per Diode-re ctifier) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

M

Montage-koppel Schroef:M5

3.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g