IGBT-module GD820HTA75P6HT Starpower

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

750

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

ICN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

820

A

IC

Verzamelaarsstroom @ T F =100o C

450

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1640

A

PD

Maximale vermogensafvoer atie @ T F =75o C T j =175o C

847

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde voltage gE

750

V

IFN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

820

A

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

450

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1640

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werkpunttemperatuur continu

Tijdens 10 seconden binnen een periode van 30s, voorkomen maximaal 3000 keer over de levensduur

-40 tot +150 +150 tot +175

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC= 450 A,V GE =15V, T j =25o C

1.10

1.35

V

IC= 450 A,V GE =15V, T j =150o C

1.15

IC= 450 A,V GE =15V, T j =175o C

1.15

IC=820A,V GE =15V, T j =25o C

1.30

IC=820A,V GE =15V, T j =175o C

1.50

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=12.9mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.5

7.0

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

1.0

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

Coes

Uitgangscondensator

1.51

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.32

nF

QG

Gate-lading

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15…+15V

4.77

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 450A, R G=2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, LS =24nH,

T j =25o C

315

n

t r

Opstijgtijd

61

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

729

n

t f

Ouderdom

70

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

12.4

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

18.3

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 450A, R G=2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, LS =24nH,

T j =150o C

338

n

t r

Opstijgtijd

74

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

826

n

t f

Ouderdom

151

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

20.7

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

25.3

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 450A, R G=2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, LS =24nH,

T j =175o C

343

n

t r

Opstijgtijd

77

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

846

n

t f

Ouderdom

171

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

25.0

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

27.3

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 6 μs, V GE =15V,

T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4500

A

t P≤3μs, V GE =15V,

T j =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3300

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF = 450 A,V GE =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450 A,V GE =0V,T j =150o C

1.35

IF = 450 A,V GE =0V,T j =175o C

1.30

IF =820A,V GE =0V,T j =25o C

1.70

IF =820A,V GE =0V,T j =175o C

1.65

Qr

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=7760A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =25o C

10.1

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

287

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

4.83

mJ

Qr

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6300A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =150o C

25.6

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

341

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

9.32

mJ

Qr

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=5990A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T j =175o C

30.4

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

354

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

10.6

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

8

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.75

mΩ

p

Maximale druk in koelcircuit - De koek

T basisker <40o C

T basisker 40o C

(relatieve druk)

2.5 2.0

bar

R de JF

Junctie -tot -Koeling Water (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △V/ △t=10,0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.103 0.169

0.118 0.194

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Gewicht van Module

750

g