GD900HFA120C6S,IGBT-module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C = 90 o C

900

Een

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1800

Een

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 o C

3409

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

I F

Diode continue voorwaartscur huur

900

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1800

Een

I FSM

Surge Vooruitstroom t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 o C

4100

3000

Een

I 2t

I 2t-waarde,t p =10ms @ T j =25 o C

@ T j =150 o C

84000

45000

Een 2s

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =900A,V GE =15V, T j =25 o C

1.40

1.85

V

I C =900A,V GE =15V, T j =125 o C

1.60

I C =900A,V GE =15V, T j = 175 o C

1.65

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

0.5

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.36

nF

Q G

Gate-lading

V GE - Ik ben niet... 15...+15V

13.6

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =25 o C

330

n

t r

Opstijgtijd

140

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

842

n

t f

Ouderdom

84

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

144

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

87.8

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =125 o C

373

n

t r

Opstijgtijd

155

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

915

n

t f

Ouderdom

135

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

186

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

104

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j = 175 o C

390

n

t r

Opstijgtijd

172

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

950

n

t f

Ouderdom

162

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

209

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

114

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤8μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3200

Een

t P ≤6μs,V GE =15V,

T j = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

I F =900A,V GE =0V,T j =25 o C

1.55

2.00

V

I F =900A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.65

I F =900A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.55

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T j =25 o C

91.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

441

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

26.3

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T j =125 o C

141

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

493

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

42.5

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T j = 175 o C

174

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

536

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

52.4

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.80

mΩ

R thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.044

0.076

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

g