GD900HFA120C6S,IGBT-module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=90o C

900

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1800

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

3409

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IF

Diode continue voorwaartscur huur

900

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1800

A

IFSM

Surge Vooruitstroom t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t-waarde,t p =10ms @ T j =25o C

@ T j =150o C

84000

45000

A2s

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC=900A,V GE =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=900A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

IC=900A,V GE =15V, T j =175o C

1.65

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

0.5

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.36

nF

QG

Gate-lading

V GE =- 15...+15V

13.6

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

330

n

t r

Opstijgtijd

140

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

842

n

t f

Ouderdom

84

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

144

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

87.8

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

373

n

t r

Opstijgtijd

155

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

915

n

t f

Ouderdom

135

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

186

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

104

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

390

n

t r

Opstijgtijd

172

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

950

n

t f

Ouderdom

162

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

209

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

114

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤8μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤1200V

3200

A

t P≤6μs,V GE =15V,

T j =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF =900A,V GE =0V,T j =125o C

1.65

IF =900A,V GE =0V,T j =175o C

1.55

Qr

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =25o C

91.0

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

441

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

26.3

mJ

Qr

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =125o C

141

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

493

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

42.5

mJ

Qr

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =175o C

174

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

536

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

52.4

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.80

mΩ

R thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.044

0.076

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

g