GD650HFX170P1S,IGBT-module,STARPOWER

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =650A,V GE =15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

I C =650A,V GE =15V, T j =125 o C

2.35

I C =650A,V GE =15V, T j =150 o C

2.45

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

2.3

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

72.3

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.75

nF

Q G

Gate-lading

V GE - Ik ben niet... 15...+15V

5.66

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =650A, R Gaat u goed? = 1.8Ω,R Goff. =2.7Ω, V GE =±15V,T j =25 o C

468

n

t r

Opstijgtijd

86

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

850

n

t f

Ouderdom

363

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

226

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

161

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =650A, R Gaat u goed? = 1.8Ω,R Goff. =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 125o C

480

n

t r

Opstijgtijd

110

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

1031

n

t f

Ouderdom

600

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

338

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

226

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =650A, R Gaat u goed? = 1.8Ω,R Goff. =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 150o C

480

n

t r

Opstijgtijd

120

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

1040

n

t f

Ouderdom

684

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

368

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

242

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

2600

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

I F =650A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I F =650A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

I F =650A,V GE =0V,T j = 150o C

2.02

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =25 o C

176

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

765

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

87.4

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j = 125o C

292

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

798

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

159

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j = 150o C

341

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

805

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

192

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

δR/R

Afwijking van R 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K