GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

Transiënte Gate-Emitter Spanning

±20 ±30

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C@ T C=95o C

1280

800

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

1600

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T vj =175o C

3191

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IF

Diode Continue Voorwaartse Stroom ent

800

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

1600

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +175

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=800A,V GE =15V, T vj =25o C

1.30

1.75

V

IC=800A,V GE =15V, T vj =125o C

1.45

IC=800A,V GE =15V, T vj =150o C

1.50

IC=800A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=32.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

0.38

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

156

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

1.10

nF

V G

Gate-lading

V GE =-8...+15V

10.3

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=800A, R G= 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

338

n

t r

Opstijgtijd

174

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

1020

n

t f

Ouderdom

100

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

65.2

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

88.8

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=800A, R G= 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125o C

398

n

t r

Opstijgtijd

203

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

1140

n

t f

Ouderdom

183

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

96.6

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

109

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=800A, R G= 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

413

n

t r

Opstijgtijd

213

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

1140

n

t f

Ouderdom

195

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

105

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

113

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=800A, R G= 1,2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

419

n

t r

Opstijgtijd

223

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

1142

n

t f

Ouderdom

205

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

110

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

115

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3300

A

ISC

SC-gegevens

t P≤ 6 μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =800A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =800A,V GE =0V,T vj =125o C

1.85

IF =800A,V GE =0V,T vj =150o C

1.85

IF =800A,V GE =0V,T vj =175o C

1.85

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

311

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

13.9

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

378

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

23.7

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

395

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

26.7

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

403

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

28.6

mJ

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.42

mΩ

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.047 0.083

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

320

g