GD200MLY120C2S,3-niveau ,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

337

200

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

400

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

1162

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V

IF

Diode continue voorwaartscur huur

200

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

400

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V

IF

Diode continue voorwaartscur huur

200

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

400

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

4.0

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.58

nF

V G

Gate-lading

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

150

n

t r

Opstijgtijd

32

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

330

n

t f

Ouderdom

93

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

11.2

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

11.3

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

161

n

t r

Opstijgtijd

37

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

412

n

t f

Ouderdom

165

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

19.8

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

17.0

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

n

t r

Opstijgtijd

43

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

433

n

t f

Ouderdom

185

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

21.9

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

19.1

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

17.6

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

228

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

7.7

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

31.8

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

238

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

13.8

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

36.6

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

247

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

15.2

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

17.6

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

228

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

7.7

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

31.8

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

238

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

13.8

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

36.6

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

247

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

15.2

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

δR/R

Afwijking van R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

VOEDING

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R thJC

Verbinding junction-naar-casus (per T 1-T4 IGBT)

Verbinding junction-naar-casus (per D1-D4 Di (de)

Verbinding junction-naar-casus (per D5,D6 Dio de)

0.129

0.237

0.232

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T1-T4 IGBT)

Casus-naar-koelplaat (per D1-D4) Diode)

Case-naar-koelsysteem (per D5, D6 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.073

0.134

0.131

0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

G

Gewicht van Module

340

g