GD600HTA120P6HT, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 600A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
Lage schakellosses
6 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerd koper pinfin onderplaat met Si3N4AMB technologie

Typische toepassingen

Automobieltoepassing
Hybride en elektrische voertuigen
Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	Eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I CN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	600	A
I C	Verzamelaarsstroom @ T F = 90 o C	450	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t p =1 ms	1200	A
P D	Maximale vermogensafvoer atie @ T F = 75 o C T j = 175 o C	1075	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	Eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde voltage gE	1200	V
I FN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	600	A
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	450	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms	1200	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
T jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	o C
T - Jaap.	Werkpunttemperatuur continu Voor 10s binnen een periode van 30s, voorkomens maximaal 3000 keer gedurende levensduur ik	-40 tot +150 +150 tot +175	o C
T STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	o C
V Iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 min.	2500	V
d - Wat een rotzooi.	Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal	9.0 9.0	mm
d Helder	Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C = 450 A,V GE =15V, T j =25 o C		1.40		V
		I C = 450 A,V GE =15V, T j =150 o C		1.65
		I C = 450 A,V GE =15V, T j = 175 o C		1.70
		I C =600A,V GE =15V, T j =25 o C		1.60
		I C =600A,V GE =15V, T j =150 o C		1.90
		I C =600A,V GE =15V, T j = 175 o C		2.00
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C		6.4		V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter Stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interne poortweerstand			1.67		ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		81.2		nF
C oes	Uitgangscondensator			1.56		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen			0.53		nF
Q G	Gate-lading	V CE = 600V,I C =600A, V GE =-8...+15V		5.34		μC
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 600A, R Gaat u goed? =1,0Ω, R Goff. = 2,2Ω, L S =22nH, V GE =-8V/+15V, T j =25 o C		290		n
t r	Opstijgtijd			81		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			895		n
t f	Ouderdom			87		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			53.5		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			47.5		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 600A, R Gaat u goed? =1,0Ω, R Goff. = 2,2Ω, L S =22nH, V GE =-8V/+15V, T j =150 o C		322		n
t r	Opstijgtijd			103		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1017		n
t f	Ouderdom			171		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			84.2		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			63.7		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 600A, R Gaat u goed? =1,0Ω, R Goff. = 2,2Ω, L S =22nH, V GE =-8V/+15V, T j = 175 o C		334		n
t r	Opstijgtijd			104		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1048		n
t f	Ouderdom			187		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			89.8		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			65.4		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 6 μs, V GE =15V,		2000		A
		T j = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

Diode Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F = 450 A,V GE =0V,T j =25 o C		1.80		V
		I F = 450 A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.75
		I F = 450 A,V GE =0V,T j =1 75o C		1.70
		I F =600A,V GE =0V,T j =25 o C		1.95
		I F =600A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.95
		I F =600A,V GE =0V,T j =1 75o C		1.90
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F = 600A, -di/dt=7040A/μs,V GE =-8V L S = 22 nH ,T j =25 o C		22.5		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			304		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			10.8		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F = 600A, -di/dt=5790A/μs,V GE =-8V L S = 22 nH ,T j =150 o C		46.6		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			336		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			18.2		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F = 600A, -di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L S = 22 nH ,T j = 175 o C		49.8		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			346		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			19.8		mJ

NTC Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
R 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van R 100	T C =100 o C r 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen Dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		8		nH
R CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.75		mΩ
p	Maximale druk in koelsysteem uit			2.5	bar
R de JF	Junctie -om -Koeling Vloeistof (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △ V/ △ t=10,0 dm 3/min. ,T F = 75 o C		0.081 0.118	0.093 0.136	K/W
M	Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.m
G	Gewicht van Module		750		g